发明公开
- 专利标题: 石墨烯复合金属箔及其双面生长方法和装置
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申请号: CN201911035935.2申请日: 2019-10-29
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公开(公告)号: CN112746262A公开(公告)日: 2021-05-04
- 发明人: 彭海琳 , 曹风 , 杨皓 , 王可心 , 王雄彪 , 刘忠范
- 申请人: 北京石墨烯研究院 , 北京大学
- 申请人地址: 北京市海淀区苏家坨镇翠湖南路13号院中关村翠湖科技园2号楼;
- 专利权人: 北京石墨烯研究院,北京大学
- 当前专利权人: 北京石墨烯研究院,北京大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区苏家坨镇翠湖南路13号院中关村翠湖科技园2号楼;
- 代理机构: 北京律智知识产权代理有限公司
- 代理商 司丽琦; 于宝庆
- 主分类号: C23C16/26
- IPC分类号: C23C16/26 ; C23C16/505 ; C23C16/54 ; C01B32/186
摘要:
本公开提供一种石墨烯复合金属箔及其双面生长方法和装置,该装置包括化学气相沉积炉、放卷轴和收卷轴,其中化学气相沉积炉包括依次连接的等离子体辉光区和加热生长区;放卷轴和收卷轴分别位于化学气相沉积炉的两侧,通过放卷轴和收卷轴的转动,以带动金属箔进出化学气相沉积炉并在其上沉积生长石墨烯;其中等离子体辉光区内设有包括平板的支架,平板的上下区域均包括中空区域,金属箔平直通过平板表面并悬空于加热生长区,使金属箔双面生长石墨烯。该装置通过特殊的支架设计,可以在金属箔材基底上一次制备得到双面生长的垂直结构石墨烯,生长温度低,垂直结构石墨烯结构和总厚度可控性高,金属种类和材质适应性广,适用于工业化大规模生产。
公开/授权文献
- CN112746262B 石墨烯复合金属箔及其双面生长方法和装置 公开/授权日:2023-05-05
IPC分类: