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公开(公告)号：CN116936786A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210362225.6
申请日：2022-04-07
摘要： 本发明公开了一种石墨烯修饰铝箔的制备方法，将铝箔放入处理液中，使铝箔表面的氧化铝层与处理液发生腐蚀反应，控制反应时间，使表层部分氧化铝反应溶解，形成粗糙的表面结构；通过控制处理液的种类和反应时间，可确保铝箔表面在形成粗糙结构的同时，氧化铝层不被完全腐蚀溶解。在后续气相沉积生长石墨烯时，裂解的碳易与氧化铝中的氧形成C‑O‑Al共价键，C‑O‑Al共价键显著提升石墨烯层和铝箔的界面粘合力，提升石墨烯层的剥离强度。
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公开(公告)号：CN113445030A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010216388.4
申请日：2020-03-25
摘要： 本发明提供了一种提高石墨烯薄膜洁净度的方法及石墨烯薄膜，该方法包括将石墨烯薄膜在真空环境中进行高温处理；其中，所述高温处理的温度为800～1050℃，所述石墨烯薄膜通过化学气相沉积方法制得。本发明一实施方式的方法，可在较大程度上提高石墨烯薄膜的洁净度，且洁净度的均匀性好。
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公开(公告)号：CN108550788B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201810391288.8
申请日：2018-04-27
IPC分类号： H01M4/13 , H01M4/139 , H01M4/66 , H01M10/0525
摘要： 本发明提供正极集流体、电池正极极片及锂离子电池，该正极集流体包括石墨烯复合铝箔材料层，其中所述石墨烯复合铝箔材料层包括：铝箔基底；平面石墨烯层，所述平面石墨烯层平行位于所述铝箔基底上；垂直石墨烯层，所述垂直石墨烯层垂直位于所述平面石墨烯层上。本发明利用具有垂直石墨烯层的石墨烯复合铝箔作为锂离子电池正极集流体，用以增强锂离子电池正极极片剥离强度。与普通铝箔集流体相比，电极材料的剥离强度大幅度提高，有利于提高电极极片制作加工的成品率以及锂离子电池的循环稳定性。
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公开(公告)号：CN112299399A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910680165.0
申请日：2019-07-26
IPC分类号： C01B32/186
摘要： 提供一种多层石墨烯的生长方法，包括如下步骤：S1，通过气相沉积在基底上形成石墨烯核；及S2，改变生长条件，继续生长，形成多层石墨烯。本发明的生长方法由于引入对生长条件的扰动，使第二层(或随后的更多层)石墨烯层的成核位点偏离第一层(或其前一层)石墨烯的成核位点，有效地减少了前一层石墨烯对接下来形成的一层石墨烯生长的诱导效应，能够获得非平凡扭转角的多层石墨烯，为进一步探索其能带结构以及这种新材料在电子、光电子以及催化方面的应用提供了便利。
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公开(公告)号：CN108565495A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810383193.1
申请日：2018-04-26
IPC分类号： H01M10/0566 , H01M10/0525 , H01M4/66
CPC分类号： H01M10/0525 , H01M4/663 , H01M10/0566
摘要： 提供一种高压锂离子电池，包括电解液、正极和负极，所述正极包括集流体、正极活性材料、导电添加剂和粘结剂，所述集流体是由碳材料制成，所述电解液包括酰亚胺类化合物和/或三氟甲基磺酸锂。本发明高压锂离子电池采用碳材料作正极集流体，具有高耐电化学腐蚀性，可以有效解决现有使用低浓度酰亚胺类和/或三氟甲基磺酸锂的电解液的高压锂离子电池中铝箔被腐蚀的问题。
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公开(公告)号：CN108447773A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810253431.7
申请日：2018-03-26
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 提供一种石墨烯单晶薄膜的制备方法，包括下述步骤：S1，在蓝宝石单晶基底上形成Cu(111)单晶薄膜；S2，在所述Cu(111)单晶薄膜上形成镍薄膜；S3，将镍/铜(111)/蓝宝石进行高温退火处理得到铜镍单晶合金层；以及S4，采用常压化学气相沉积在所述铜镍单晶合金层上生长所述石墨烯单晶薄膜。本方法可以制备4英寸尺寸的石墨烯单晶，有望为石墨烯电子器件的应用提供材料基础。
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公开(公告)号：CN109534326B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201910019995.9
申请日：2019-01-09
IPC分类号： C01B32/184
摘要： 本申请涉及石墨烯转移技术领域，具体而言，涉及一种石墨烯薄膜转移装置，用以将石墨烯薄膜转移至目标基底，其包括：壳体，所述壳体具有真空腔体；滚压机构，位于所述真空腔体内，所述滚压机构包括第一辊轴及与所述第一辊轴相对设置的第二辊轴，所述第一辊轴及所述第二辊轴中的至少一者能够转动；其中，所述第一辊轴和/或所述第二辊轴能够在转动过程中对经过所述第一辊轴和所述第二辊轴之间的石墨烯薄膜与目标基底进行滚动贴合，以将石墨烯薄膜转移至目标基底。该技术方案能够提高石墨烯薄膜转移之后的完整度。
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公开(公告)号：CN116536773A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202210090083.2
申请日：2022-01-25
摘要： 本发明提供一种适用于无孪晶单晶金属薄膜制备的蓝宝石晶圆衬底的退火方法，包括：在附着金属薄膜前，对蓝宝石晶圆衬底进行退火预处理。退火预处理期间采用水平放置且蓝宝石晶圆与板面完全接触的平板载具，解决了石墨烯薄膜制备过程中单晶金属薄膜晶圆中存在孪晶的问题，降低了孪晶的出现，提高了金属单晶薄膜晶圆的良率。
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公开(公告)号：CN115961258A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111185707.0
申请日：2021-10-12
摘要： 本发明提供一种金属晶圆基底的制备方法，包括：在蓝宝石基底通过磁控溅射形成所述金属薄膜，进行所述磁控溅射时所述蓝宝石基底的温度保持在50℃以下。还提供该方法制备的金属晶圆。本发明的制备方法，提高了金属晶圆退火后的单晶化程度，并且解决了基底产生孪晶及缺陷问题，为下一步生长优质石墨烯打下基础。同时，由于溅射过程都在常温进行，不需要在溅射结束后，降低温度至常温才能打开磁控溅射腔室，避免了晶圆容易氧化的问题。并且，降低了溅射一片晶圆所需的时间，提高了生产效率。
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