Invention Grant
- Patent Title: 一种氧化铝防护银纳米线透明电极及其制备方法与应用
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Application No.: CN202011608047.8Application Date: 2020-12-30
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Publication No.: CN112768140BPublication Date: 2022-06-14
- Inventor: 宁洪龙 , 李志航 , 姚日晖 , 陈俊龙 , 杨跃鑫 , 叶倩楠 , 曾璇 , 陈楠泓 , 刘泰江 , 彭俊彪
- Applicant: 华南理工大学
- Applicant Address: 广东省广州市天河区五山路381号
- Assignee: 华南理工大学
- Current Assignee: 华南理工大学
- Current Assignee Address: 广东省广州市天河区五山路381号
- Agency: 广州市华学知识产权代理有限公司
- Agent 殷妹
- Main IPC: H01B13/00
- IPC: H01B13/00 ; H01B5/14 ; H01B17/62

Abstract:
本发明公开了一种氧化铝防护银纳米线透明电极及其制备方法与应用。所述方法如下:将退火处理后的银纳米线透明导电膜作为阴极,铂电极作为阳极,银|氯化银电极作为参比电极,含九水合硝酸铝的溶液作为电解液,通过三电极系统恒电压模式在银纳米线透明导电膜上电沉积氧化铝保护层,漂洗,退火得到氧化铝防护银纳米线透明电极。本发明通过控制反应速率改良电沉积工艺,将氧化铝精准沉积在银纳米线表面,不影响透光区域,并通过沉积过程促进银纳米线之间的接触,以高平整度的表面避免了包覆层的光吸收,实现了稳定性与光电性能的提升,极大简化了银纳米线防护工艺与柔性透明电极的制备成本,促进了柔性电子的发展。
Public/Granted literature
- CN112768140A 一种氧化铝防护银纳米线透明电极及其制备方法与应用 Public/Granted day:2021-05-07
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