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公开(公告)号：CN118872065A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202480001821.9
申请日：2024-03-06
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： H01L29/24
摘要： 本申请提供了一种半导体氧化物薄膜及其制备方法，所述半导体氧化物薄膜的成分包括多层金属氧化物层；所述多层金属氧化物层的组成通式为AOαBOβROγ，其中α，β，γ分别为AO层，BO层，RO层的循环次数；AO为第一金属的氧化物层，BO为第二金属的氧化物层，RO为第三稀土金属的氧化物层。所述半导体氧化物薄膜通过成分及结构的调控，在In和/或Sn的金属氧化物层中，同时引入两种作用不同的第二金属氧化物层和第三稀土金属氧化物层，提高了半导体氧化物薄膜的光热稳定性。所述制备方法通过控制ALD沉积工艺的相关参数，制得的半导体氧化物薄膜致密度极高，成分微区分布均匀且易于精确控制，表面形貌覆盖性优异。
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公开(公告)号：CN118480771A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410453216.7
申请日：2024-04-16
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/52
摘要： 本发明公开了一种基于缺陷诱导调控的高性能多组分薄膜制备方法与应用，制备方法包括以下步骤：S1、将衬底放入铝腔内抽真空达到一定的腔体气压，并将铝腔加热；S2、向腔体内先脉冲注入第一金属前驱体，惰性气体吹扫，接着脉冲注入第二金属前驱体，惰性气体吹扫，通入氧化剂将前驱体氧化，惰性气体吹扫；S3、重复N次上述步骤S2，得到一定厚度的均匀掺杂薄膜。本发明提出的方法减少了多组分薄膜沉积时前驱体的原子间隙填补效应，这不仅减少了薄膜内部的原子空位，实现了无生长延迟的生长模式，同时减小了薄膜表面起伏，改善了薄膜的表面特性，有利于所制备的薄膜与其余功能层实现良好的界面接触。
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公开(公告)号：CN118443183A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410489210.5
申请日：2024-04-23
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明公开了一种基于溶液法的微结构化MXene/rGO柔性压敏传感器及其制备和应用。传感器结构包括用溶液法制备的MXene/rGO复合材料传感层、具有仿生微结构的PDMS柔性基底层、电极层。所用的原料为天然材料，柔性好、可降解、绿色环保、具有良好的生物相容性。通过溶液法直接调控传感层成分，通过复刻天然材料表面获得微结构，制作过程简单、成本低且性能优异，能兼具高灵敏度和宽传感范围，可用于智能穿戴电子、人机交互、医疗检测等领域。
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公开(公告)号：CN117613099A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311767079.6
申请日：2023-12-21
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/34
摘要： 一种可拉伸可印刷氧化物晶体管，设置有褶皱衬底、氧化物半导体层、栅极、源极、漏极和离子胶层；所述褶皱衬底的褶皱方向随机分布并能在各方向上拉伸，且在各方向上的最大拉伸量相同；所述栅极、所述源极和所述漏极由同一层导电薄膜同时制备得到。与现有技术的预拉伸式制备方式造成了只有某些方向可拉伸不同，本发明的褶皱衬底通过非预拉伸制备方法制备得到，可以在各方向在进行拉伸，并在不同方向拉伸下依然保持较好的性能，其控制电压可以达到20mv‑30mv，实现非常低的控制电压，因此本发明的可拉伸可印刷氧化物晶体管的应用前景更广。
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公开(公告)号：CN117199215A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311464093.9
申请日：2023-11-06
申请人： TCL华星光电技术有限公司 , 华南理工大学
摘要： 本申请提供一种显示面板及其制备方法，所述显示面板包括基板、驱动电层、布线层和反光层，基板包括第一表面和第二表面，驱动电路层包括设置在基板的第一表面背离第二表面的一侧的驱动电路组；布线层包括设置在基板的第二表面背离第一表面的一侧的第一布线部，第一布线部与驱动电路组电性连接；反光层包括第一反光部，且所述第一反光部设置在驱动电路层和第一布线部之间，本申请提供的显示面板中，设置在驱动电路层和第一布线部之间的第一反光部，能够在布线层的图案化过程中对激光进行全反射，改善因激光照射驱动电路组中的器件而导致的器件受损的问题，提高显示面板的显示质量。
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公开(公告)号：CN117165278A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310983045.4
申请日：2023-08-07
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： C09K9/02 , G02F1/1503 , G02F1/1514 , G02F1/1516 , G02F1/1523
摘要： 本发明公开了一种基于有机/无机复合的光电材料及其合成方法与应用，电致变色化合物、电极电活性材料、偏钨酸铵以及低级醇混合后在常见溶剂中进行溶剂热合成，合成后得到电致变色液，该电致变色液具有电致变色化合物浓度高，稳定性强，合成简单，价格低廉的优点，取少量溶液，封装进导电夹层后即得到电致变色器件。该发明有效解决了电致变色化合物在常见溶剂中溶解度低且长时间着色效果差的问题。
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公开(公告)号：CN116445044A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310261443.5
申请日：2023-03-17
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： C09D129/04 , H01B13/00 , H01B5/14 , C09D7/61
摘要： 本发明属于电子技术领域，具体涉及一种复合结构柔性透明介电层及其低温制备方法与应用。将含有铪、镁、钛、钇、锆的前驱体溶液与含有极性基团的有机大分子前驱体溶液等体积混合，分散均匀，旋涂于衬底上，进行预退火，然后进行热退火，得到所述的复合结构柔性透明介电层。本发明通过结合低漏电流的高熵金属氧化物薄膜和高抗弯折性的有机大分子来制备柔性介电层。两者通过配位螯合以及氧化还原反应形成稳定的网络结构，可以增加薄膜抗弯折的能力，并且降低退火温度，使其符合柔性基板的要求。
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公开(公告)号：CN116343676A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310194532.2
申请日：2023-03-02
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： G09G3/3225
摘要： 本发明公开了一种有源电致发光显示器的像素电路、行驱动电路及驱动方法，像素电路包括第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管、第五开关晶体管、第六开关晶体管、驱动晶体管、有机发光二极管、储存电容及耦合电容；本发明还公开了像素电路的驱动方法，对于第1帧，编程经过初始化、阈值电压锁存、数据加载和有机发光二极管发光阶段，对于第2到N帧，驱动过程只经过数据加载和有机发光二极管发光阶段。本发明还公开了该像素驱动电路扫描开关和发光控制信号对应的行驱动电路。本发明不仅可以补偿驱动晶体管的阈值电压漂移导致的显示不均匀性，而且大大降低了晶体管的开关功耗，且N越大，降低的动态功耗就越明显。
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公开(公告)号：CN110790742B
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN201810873300.9
申请日：2018-08-02
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： C07D333/78 , C07D409/10 , C07D413/14 , C09K11/06
摘要： 本发明公开了一种基于萘并硫氧芴单元的小分子发光材料及其制备方法与应用。所述的基于萘并硫氧芴单元，有利于提高电子亲和势，促进电子的注入和传输，具有高荧光效率和化学稳定性。本发明通过Suzuki或C‑N偶联反应，得到所述基于萘并硫氧芴单元的小分子发光材料。本发明的基于萘并硫氧芴单元的小分子发光材料具有较高的热稳定性，良好的成膜性和较好的溶解性，采用常见有机溶剂溶解后，通过旋涂、蒸镀、喷墨打印或印刷成膜，制备得到发光二极管的发光层。
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公开(公告)号：CN114481054B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210102412.0
申请日：2022-01-27
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08 , H01L29/24 , H01L29/786
摘要： 一种氧化物半导体靶材、薄膜、薄膜晶体管及提高薄膜晶体管稳定性和迁移率的方法，氧化物半导体靶材包括基质氧化物半导体材料和正四价镧系离子。利用含有正四价镧系离子的氧化物半导体靶，制备作为薄膜晶体管沟道层的薄膜材料，并相应制备薄膜晶体管。在光照及负栅压时，正四价镧系离子轨道杂化跃迁吸收蓝光甚至红绿光，进一步下转换成低能光或无辐射的形式，避免了背光源或者自发光中的蓝光电离氧空位而造成电导增大、造成阈值电压负漂的问题，提高了NBIS稳定性。
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