一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有掩膜材料层，掩膜材料层内形成有多个间隔设置的第一沟槽，第一沟槽的延伸方向为第一方向，多个第一沟槽沿第二方向平行排列，第二方向垂直于第一方向；形成第一侧墙层和阻挡层，第一侧墙层位于第一沟槽侧壁，阻挡层位于至少一个第一沟槽中，阻挡层在第一方向上分割第一沟槽，第一侧墙层暴露出阻挡层在第一方向两侧的侧壁；在第一侧墙层露出的阻挡层侧壁形成第二侧墙层；以第一侧墙层、第二侧墙层和阻挡层为掩膜，刻蚀相邻第一沟槽之间的掩膜材料层，形成第二沟槽，第二沟槽和第一沟槽之间被第一侧墙层隔离。本发明提高通过第二侧墙层保护阻挡层，从而提高图形传递的精度。