一种铌酸锂材料刻蚀及提高侧壁角度的优化方法

Invention Grant

CN112768348B 一种铌酸锂材料刻蚀及提高侧壁角度的优化方法有权

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Patent Title: 一种铌酸锂材料刻蚀及提高侧壁角度的优化方法
Application No.: CN202110059078.0

Application Date: 2021-01-18
Publication No.: CN112768348B

Publication Date: 2022-05-20
Inventor: 江安全 , 陈一凡 , 庄晓 , 江钧 , 汪超
Applicant: 复旦大学
Applicant Address: 上海市杨浦区邯郸路220号
Assignee: 复旦大学
Current Assignee: 复旦大学
Current Assignee Address: 上海市杨浦区邯郸路220号
Agency: 上海正旦专利代理有限公司
Agent 陆飞; 陆尤
Main IPC: H01L21/306
IPC: H01L21/306 ; H01L21/3063 ; H01L21/3065 ; H01L21/308

Abstract:

本发明属于存储材料制备技术领域，具体为一种铌酸锂材料刻蚀及提高侧壁角度的优化方法。本发明方法包括：硬掩膜制作、倾斜刻蚀、金属黑化修正侧壁以及湿法腐蚀清洗。与传统的直接利用干法刻蚀铌酸锂图形不同，本方法将干法刻蚀与湿法刻蚀相结合，不仅能够获得刻蚀角度陡直、侧壁光滑的铌酸锂图形，而且刻蚀效率也极高，同时可对铌酸锂图形进行后期修正。本发明方法对基于铌酸锂材料的纳米加工具有极大意义，并且不会破坏材料的铁电特性。

Public/Granted literature

CN112768348A 一种铌酸锂材料刻蚀及提高侧壁角度的优化方法 Public/Granted day:2021-05-07

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）