本发明属于无源自供能领域，提供了一种无源自供能用压电纳米阵列传感器及其制备方法。其中，无源自供能用压电纳米阵列传感器包括共振腔、第一种子层、第二种子层、第一ZnO纳米线阵列、第二ZnO纳米线阵列、第一压电层电极和第二压电层电极；所述共振腔为两端开口式空腔结构的基片构成；所述第一种子层和第二种子层分别设置在共振腔的顶部和底部；所述第一ZnO纳米线阵列生长在第一种子层上部，第二ZnO纳米线阵列生长在第二种子层下部；所述第一压电层电极设置在第一ZnO纳米线阵列上部，第二压电层电极设置在第二ZnO纳米线阵列下部。