本发明公开了一种具有双量子阱臂结构电子阻挡层的LED，包括衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层与p型GaN层，所述GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层与p型GaN层依次生长在衬底上，所述电子阻挡层为双量子阱臂结构，所述电子阻挡层自下而上依次包括AlxGa1‑xN势垒层、AlyGa1‑yN量子阱层、AlxGa1‑xN势垒层、GaN势阱层、AlxGa1‑xN势垒层、AlzGa1‑zN量子阱层与AlxGa1‑xN势垒层；本发明的优点在于：能够减弱引入电子阻挡层造成的有害极化效应，提高空穴的注入效率。