一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成介电层；在所述介电层上形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层和介电层中形成露出所述基底的导电通孔；在所述导电通孔和所述刻蚀阻挡层上形成导电材料层；以所述刻蚀阻挡层作为停止层，对所述导电材料层进行第一平坦化处理；去除所述刻蚀阻挡层；去除所述刻蚀阻挡层后，去除高于所述介电层的导电材料层，位于导电通孔内的剩余导电材料层作为导电插塞；在所述介电层和导电插塞上形成电极层；在所述电极层上形成磁性隧道结的叠层结构。本发明实施例有利于提高磁性隧道结(Magnetic tunnel junction，MTJ)的性能。