- 专利标题: 一种在高分子多孔膜上生长MOF膜的方法及其应用
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申请号: CN201911205193.3申请日: 2019-11-29
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公开(公告)号: CN112876730B公开(公告)日: 2022-06-03
- 发明人: 李先锋 , 戴卿 , 张华民
- 申请人: 中国科学院大连化学物理研究所
- 申请人地址: 辽宁省大连市沙河口区中山路457号
- 专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
- 当前专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
- 当前专利权人地址: 辽宁省大连市沙河口区中山路457号
- 代理机构: 大连东方专利代理有限责任公司
- 代理商 毛薇; 李馨
- 主分类号: C08J9/36
- IPC分类号: C08J9/36 ; C08L79/04 ; H01M8/18
摘要:
本发明提供一种在高分子多孔膜上生长MOF膜的方法及其应用,将高分子多孔膜直接浸泡在MOF的反应溶液中,通过溶剂热反应在高分子膜表面原位生成MOF膜。本发明利用高分子材料与金属离子之间的配位交联作用,使得高分子膜能够在高温有机溶剂中保持结构完整。另一方面,高分子膜与MOF中心金属的配位作用提高了MOF与高分子膜的亲和性,有助于提高MOF膜的稳定性和完整性。该方法操作简单,所得到的MOF膜结构完整且稳定,因为MOF具有均一且贯通的通道,所以具有优异的离子选择性,利用该膜组装的电池展现了优异的性能。
公开/授权文献
- CN112876730A 一种在高分子多孔膜上生长MOF膜的方法及其应用 公开/授权日:2021-06-01