一种以高长径比晶须制备无晶间玻璃相β‑Si3N4多孔陶瓷材料的方法，以α‑Si3N4为原料，Y2O3为助剂，通过常压烧结的方法制备高长径比的β‑Si3N4晶须，以制得的β‑Si3N4模压成型后引入碳源，通过碳热还原方法于β‑Si3N4晶须搭接处生成α‑Si3N4，制备Si3N4搭接β‑Si3N4晶须多孔陶瓷材料；本发明解决了现有多孔氮化硅陶瓷室温和高温力学性能之间的矛盾，能够制得室温强度与同气孔率液相烧结氮化硅近似，但直至1500℃强度不下降的多孔氮化硅陶瓷，极大地改善了多孔氮化硅的高温力学性能，大大拓展了多孔氮化硅陶瓷材料的应用范围。