公开(公告)号：CN118754680A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410934632.9

申请日：2024-07-12

Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司

Inventor： 姚力军 ,  滕晓朋 ,  吴东青 ,  廖培君

IPC: C04B35/593 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明涉及一种大尺寸氮化硅陶瓷的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：第一混合烧结助剂与分散剂，得到第一混粉；第二混合氮化硅粉末与第一混粉，得到第二混粉；第三混合粘结剂溶液与第二混粉，得到氮化硅浆料；使用氮化硅浆料进行喷雾造粒，得到球形粉末；球形粉末装模后进行冷等静压成型，得到氮化硅生坯；氮化硅生坯经脱脂与热等静压，得到所述大尺寸氮化硅陶瓷。本发明提供的制备方法能够实现大尺寸氮化硅陶瓷的制备，且工艺简单，易于大批量生产，且所得大尺寸氮化硅陶瓷的致密度高、均匀性好且性能优异。

公开(公告)号：CN117303917B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202311234046.5

申请日：2023-09-23

Applicant: 南通三责精密陶瓷有限公司 ,  江苏三责新材料科技有限公司

Inventor： 丁杰 ,  闫永杰

IPC: C04B35/63 ,  C04B35/593 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本申请涉及陶瓷领域，具体公开了一种氮化硅陶瓷烧结助剂、高导热氮化硅陶瓷及制备方法。该氮化硅陶瓷烧结助剂包括氮化硅镁、稀土无氧添加剂和β相氮化硅，氮化硅镁、稀土无氧添加剂和β相氮化硅的混合重量比为(3‑10):(3.5‑8):1，稀土无氧添加剂包括氟化钪、氟化钇、氟化镧、三氟化钐、氟化钆、四氟化铈、氟化镱、氟化铕中的至少一种。本申请采用氮化硅镁、稀土无氧添加剂和β相氮化硅复合作为烧结助剂，并经过两段升温烧结及两段保温处理，能制备出晶格氧含量低、晶格缺陷少、β相占比高的氮化硅陶瓷，其具有热导率高、弯曲强度高和断裂韧性优良的特点，兼备力学性能及导热性能。

公开(公告)号：CN118125832A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410250325.9

申请日：2024-03-05

Applicant: 国网智能电网研究院有限公司

Inventor： 聂京凯 ,  张一铭 ,  侯东 ,  韩钰 ,  祝志祥 ,  刘辉 ,  姬军 ,  许宗超 ,  卢理成

IPC: C04B35/593 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645

Abstract: 一种高电阻率稳定性氮化硅复合陶瓷及其制备方法，属于电工绝缘陶瓷技术领域，克服现有技术中绝缘支柱电阻率稳定性较差的缺陷。本发明高电阻率稳定性氮化硅复合陶瓷的制备方法包括以下步骤：步骤1、将氮化硅粉末、烧结助剂、分散剂、粘结剂和水混合制备浆料；所述烧结助剂包括Y2O3、Al2O3和MgO，Y2O3：Al2O3：MgO：氮化硅的质量比为(0.01‑0.15)：(0.01‑0.13)：(0.01‑0.1)：1；步骤2、制备造粒粉；步骤3、制得陶瓷生坯；步骤4、排胶；步骤5、在常压下进行第一步烧结，随后在氮气压力下进行第二步烧结。本发明制得的高电阻率稳定性氮化硅复合陶瓷具有较高的电阻率稳定性。

公开(公告)号：CN118125831A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410250050.9

申请日：2024-03-05

Applicant: 国网智能电网研究院有限公司

Inventor： 韩钰 ,  张一铭 ,  侯东 ,  聂京凯 ,  卢理成 ,  祝志祥 ,  刘辉

IPC: C04B35/593 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645

Abstract: 一种高介电性能氮化硅复合陶瓷及其制备方法，属于电工绝缘陶瓷技术领域，克服现有技术中绝缘支柱用材料介电性能差的缺陷。本发明高介电性能氮化硅复合陶瓷的制备方法包括以下步骤：步骤1、将氮化硅粉末、烧结助剂、分散剂、粘结剂和水混合制备浆料；所述烧结助剂包括Y2O3、Al2O3和Bi2O3，Y2O3：Al2O3：Bi2O3：氮化硅粉末的质量比为(0.01‑0.15)：(0.01‑0.13)：(0.01‑0.08)：1；步骤2、制备造粒粉；步骤3、压制成型；步骤4、排胶；步骤5、在负压下进行第一步烧结，随后在氮气压力下进行第二步烧结。本发明氮化硅复合陶瓷具有优异的介电性能。

公开(公告)号：CN115849919B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202211590307.2

申请日：2022-12-12

Applicant: 广东技术师范大学

Inventor： 于俊杰 ,  梁振铨 ,  李芷妍 ,  林佳云 ,  赖东平 ,  蔡欣怡 ,  吴敏 ,  刘健 ,  郭伟明 ,  林华泰

IPC: C04B35/593 ,  C04B35/596 ,  C04B35/622 ,  C04B35/628

Abstract: 本发明属于非氧化物基材料技术领域，公开一种高性能的氮化硅导电陶瓷及其制备方法和应用。该方法是将Si3N4‑MgO‑Re2O3‑石蜡的混合浆料喷雾干燥，制成Si3N4造粒球；然后用CCl4和石蜡组成的粘结剂喷涂于Si3N4造粒球表面，获得表面均匀包覆石蜡层的Si3N4造粒球；再加入MxNyB2纳米粉体，得到包覆MxNyB2导电层/石蜡的Si3N4造粒球；将其在450～550℃保温，得到包覆MxNyB2导电层的Si3N4造粒球；在1atm的氩气气氛下，升温至1550～1750℃，保温过程轴向加压为10～50MPa，通过放电等离子烧结，制得高性能的氮化硅导电陶瓷。该陶瓷可应用在异形件加工领域中。

公开(公告)号：CN114787105B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202080085992.6

申请日：2020-12-10

Applicant: UBE ,  株式会社

Inventor： 藤永猛 ,  猪野亚纪 ,  本田道夫 ,  藤永昌孝 ,  柴田耕司 ,  山田哲夫

IPC: C04B35/593 ,  C01B21/068 ,  C04B35/587 ,  H05K1/03

Abstract: 分率为0％以上且10％以下并且具有特定的氧含本发明提供得到兼具高的热导率和优异的 量、比表面积及平均粒径的第一氮化硅粉末和β机械特性(强度和断裂韧性)的板状的氮化硅质 百分率为60％以上且100％以下并且具有特定的烧结体的方法。制备在氮化硅原料中添加有烧结 氧含量、比表面积、平均粒径及长径比的第二氮助剂的起始组合物，通过片成形工艺由起始组合 化硅粉末。还提供原料粉末配混物及氮化硅质烧物制作生片，将生片在含氮气体压力为0.15MPa 结体。以上且3MPa以下的加压气氛下、在最高保持温度为1790℃以上且1910℃以下的温度范围内保持而进行烧结，由此制造碱土金属含量与稀土金属(56)对比文件A. De Pablos等.Correlation betweenmicrostructure and toughness of hotpressed Si3N4 ceramics seeded with b-Si3N4 particles《.Ceramics International》.2003,第29卷Hyun Min LEE等.Microstructuralevolution of Si3N4 ceramics from startingpowders with different α to β ratios.《Journal of the Ceramic Society ofJapan》.2016,第124卷(第8期),刘幸丽等.微观组织调控对氮化硅强度及热导率的影响《.稀有金属材料与工程》.2015,第44卷

公开(公告)号：CN115677357B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202211406196.5

申请日：2022-11-10

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 曾宇平 ,  梁汉琴 ,  夏咏锋 ,  姚冬旭

IPC: C04B35/593 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种高耐磨氮化硅陶瓷及其制备方法。所述高耐磨氮化硅陶瓷包含Si3N4主相和MgAl2O4第二相；所述Si3N4的含量为97～98wt％，其中MgAl2O4的总含量不超过3wt％，优选1～3wt％，更优选为2～3wt％。

公开(公告)号：CN116217239A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310284174.4

申请日：2023-03-22

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 段于森 ,  张景贤

IPC: C04B35/593 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明提供了一种高热导率低电阻率氮化硅陶瓷的制备方法，将40～71wt％的氮化硅粉体、25～50wt％的二氧化钛、4～10wt％的烧结助剂和氮化硅粉体重量0～2％的有机碳源均匀混合、干燥、过筛后压制成型，得到陶瓷素坯；将陶瓷素坯在400～900℃焙烧处理0.5～2小时；在1450～1650℃保温处理2～4h后升温至1850～1950℃气压烧结0.5～12小时，得到氮化硅陶瓷。本发明的技术方案工艺简单稳定，条件易于控制，可得到力学性能优异，具有低电阻率的高热导率氮化硅陶瓷。

公开(公告)号：CN115141020A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210774519.X

申请日：2022-07-01

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 李权 ,  张建浩 ,  王之成 ,  杨建 ,  汪洋 ,  潘丽梅

IPC: C04B35/575 ,  C04B35/593 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明公开了一种高韧性且宽频吸收电磁波的超层构仿生陶瓷的制备方法，属于层状仿生陶瓷材料制备技术领域，通过将基体层流延片材和界面层流延片材交替叠层，然后经裁剪、叠层、排胶和高温烧结等工艺制备出超层构仿生陶瓷材料；通过控制基体层和界面层内电磁波吸收剂的含量和分布，制备出阻抗/损耗梯度渐变、阻抗/损耗周期性变化或损耗具有“低‑高‑低”三明治结构特点的超层构仿生陶瓷；通过引入弱界面可有效提高陶瓷材料的韧性，韧性可超过12MP·m1/2；同时通过对电磁波吸收剂含量和分布的优化，可使超层构仿生陶瓷材料获得宽频吸波性能，所制备的陶瓷材料可在先进隐身装备中得到广泛应用。

公开(公告)号：CN114853482A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210509763.3

申请日：2022-05-11

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王红洁 ,  李明主 ,  肖灵彬 ,  苏磊

IPC: C04B35/593 ,  C04B35/622 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B37/10 ,  B32B37/06

Abstract: 本发明公开了一种氮化硅纳米线增韧氮化硅层状陶瓷及其制备方法，以氮化硅纳米线纸作为软相，以氮化硅陶瓷作为硬相，添加适量的金属氧化物烧结助剂，以层层组装的方式堆叠成模，采用热压烧结方法，制备出Si3N4纳米线增韧氮化硅层状陶瓷。该方法操作工艺简单，对设备要求低，适合工业规模化生产。经本发明方法制得的高韧性氮化硅纳米线/氮化硅层状陶，抗弯强度最高超过300Mpa，断裂韧性可以达到14MPa·m1/2，大大提高了其可靠性。