本公开提供了一种确定晶圆焦点边界、判断晶圆是否需要返工的方法，属于半导体技术领域。其中，确定晶圆焦点边界方法包括获取曝光前晶圆局部区域平坦度信息及位置信息；获取异常晶粒分布信息、异常晶粒对应的制程信息和晶圆良率相关数据信息；根据所述晶圆局部区域平坦度信息及位置信息、所述异常晶粒分布信息、所述异常晶粒对应的制程信息和晶圆良率相关数据信息，确定不同制程对应的焦点边界。本公开提供的确定晶圆焦点边界的方法，可针对光刻技术中不同的制程，确定相对应的焦点边界，使得在半导体光刻技术整个进程中，焦点控制更加精细，有助于进一步提高产品良率。