发明授权
- 专利标题: 成像装置
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申请号: CN201980068538.7申请日: 2019-10-09
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公开(公告)号: CN112913022B公开(公告)日: 2024-07-16
- 发明人: 斋藤聪哲 , 斋藤卓 , 藤井宣年
- 申请人: 索尼半导体解决方案公司
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 索尼半导体解决方案公司
- 当前专利权人: 索尼半导体解决方案公司
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
- 代理商 邓珍; 曹正建
- 国际申请: PCT/JP2019/039744 2019.10.09
- 国际公布: WO2020/090384 JA 2020.05.07
- 进入国家日期: 2021-04-16
- 主分类号: H01L27/146
- IPC分类号: H01L27/146 ; H01L21/304
摘要:
提供了一种成像装置(1),所述成像装置包括:成像元件(10);和半导体元件(20、30),所述半导体元件与所述成像元件相对设置并电气连接到所述成像元件。所述半导体元件包括:设置在中央部的配线区域(20A、30A)和在所述配线区域的外侧的周边区域(20B、30B);配线层(22、32),所述配线层在所述配线区域中具有配线;半导体基板(21、31),所述半导体基板隔着所述配线层与所述成像元件相对,并具有从所述配线层侧依次设置的第一面(Sa、Sc)和第二面(Sb、Sd);和抛光调整部(23、33),所述抛光调整部由抛光速率比所述半导体基板的构成材料的抛光速率低的材料构成,所述抛光调整部配置在所述周边区域的至少一部分中,并且从所述第二面沿所述半导体基板的厚度方向设置在所述半导体基板中。
公开/授权文献
- CN112913022A 成像装置 公开/授权日:2021-06-04
IPC分类: