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公开(公告)号：CN118922951A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202380029699.1
申请日：2023-03-31
申请人： 索尼半导体解决方案公司
摘要： 提供了一种能够抑制化合物半导体层翘曲发生的层压构件。该层压构件包括：驱动电路板；以及设置在驱动电路板上并且包括化合物半导体层的半导体元件层。该化合物半导体层具有在俯视观察下为椭圆形的形状、多边形的至少一个角被切掉的形状、或者多边形的至少一个角被弯曲成以凸形形状。
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公开(公告)号：CN107735246B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201680039466.X
申请日：2016-07-15
申请人： 索尼半导体解决方案公司
摘要： 为了抑制透镜的污染或损坏的发生。在本技术中，例如，制造装置允许比透镜树脂部从基板突出的高度更厚的间隔件附接到所述基板。此外，例如，在本技术中，所述制造装置通过使用由两层模具构成的模型在形成于所述基板中的通孔的内侧模制所述透镜树脂部，并且在模制所述透镜树脂部之后，在一个模具附接在所述基板上的状态下，所述制造装置将所述基板从所述另一个模具脱模。例如，本技术可以适用于带透镜的基板、层叠透镜结构、相机模块、制造装置、制造方法、电子设备、计算机、程序、存储介质、系统等。
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公开(公告)号：CN112913022A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201980068538.7
申请日：2019-10-09
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/304
摘要： 提供了一种成像装置(1)，所述成像装置包括：成像元件(10)；和半导体元件(20、30)，所述半导体元件与所述成像元件相对设置并电气连接到所述成像元件。所述半导体元件包括：设置在中央部的配线区域(20A、30A)和在所述配线区域的外侧的周边区域(20B、30B)；配线层(22、32)，所述配线层在所述配线区域中具有配线；半导体基板(21、31)，所述半导体基板隔着所述配线层与所述成像元件相对，并具有从所述配线层侧依次设置的第一面(Sa、Sc)和第二面(Sb、Sd)；和抛光调整部(23、33)，所述抛光调整部由抛光速率比所述半导体基板的构成材料的抛光速率低的材料构成，所述抛光调整部配置在所述周边区域的至少一部分中，并且从所述第二面沿所述半导体基板的厚度方向设置在所述半导体基板中。
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公开(公告)号：CN118658868A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410919228.4
申请日：2019-10-09
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 提供了一种半导体装置，半导体装置包括：第一基板，所述第一基板包括第一半导体基板和第一配线层；第二基板，所述第二基板包括第二半导体基板和包括多条配线的第二配线层，其中，所述第二半导体基板包括抛光调整部，其中，在平面图中，所述抛光调整部围绕所述多条配线的至少一部分，并且，所述抛光调整部的至少一部分设置在所述第二半导体基板的厚度方向。
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公开(公告)号：CN112913022B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201980068538.7
申请日：2019-10-09
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/304
摘要： 提供了一种成像装置(1)，所述成像装置包括：成像元件(10)；和半导体元件(20、30)，所述半导体元件与所述成像元件相对设置并电气连接到所述成像元件。所述半导体元件包括：设置在中央部的配线区域(20A、30A)和在所述配线区域的外侧的周边区域(20B、30B)；配线层(22、32)，所述配线层在所述配线区域中具有配线；半导体基板(21、31)，所述半导体基板隔着所述配线层与所述成像元件相对，并具有从所述配线层侧依次设置的第一面(Sa、Sc)和第二面(Sb、Sd)；和抛光调整部(23、33)，所述抛光调整部由抛光速率比所述半导体基板的构成材料的抛光速率低的材料构成，所述抛光调整部配置在所述周边区域的至少一部分中，并且从所述第二面沿所述半导体基板的厚度方向设置在所述半导体基板中。
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公开(公告)号：CN109952647B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN201780047068.7
申请日：2017-07-25
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L23/10 , H01L23/29 , H01L23/31 , H04N25/70
摘要： 本公开涉及一种能够实现更好特性的成像元件、制造方法和电子设备。所述成像元件包括：传感器基板，其设置有其中多个像素以阵列状布置的有效像素区域；透明密封构件，其密封所述传感器基板的有效像素区域侧的表面；密封树脂，其在至少包含所述有效像素区域的区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合；和增强树脂，其在平面图中的位于所述有效像素区域的外侧的外周区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合，并且具有比密封树脂更高的刚性。在所述外周区域中的密封树脂和增强树脂的每单位面积的粘合强度与在所述外周区域中接合的部分的面积的乘积设定为大于在所述有效像素区域中的密封树脂的每单位面积的粘合强度与在所述有效像素区域中接合的部分的面积的乘积。本技术可以适用于例如WCSP的CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN109952647A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201780047068.7
申请日：2017-07-25
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L23/10 , H01L23/29 , H01L23/31 , H04N5/369
摘要： 本公开涉及一种能够实现更好特性的成像元件、制造方法和电子设备。所述成像元件包括：传感器基板，其设置有其中多个像素以阵列状布置的有效像素区域；透明密封构件，其密封所述传感器基板的有效像素区域侧的表面；密封树脂，其在至少包含所述有效像素区域的区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合；和增强树脂，其在平面图中的位于所述有效像素区域的外侧的外周区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合，并且具有比密封树脂更高的刚性。在所述外周区域中的密封树脂和增强树脂的每单位面积的粘合强度与在所述外周区域中接合的部分的面积的乘积设定为大于在所述有效像素区域中的密封树脂的每单位面积的粘合强度与在所述有效像素区域中接合的部分的面积的乘积。本技术可以适用于例如WCSP的CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN107735246A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680039466.X
申请日：2016-07-15
申请人： 索尼半导体解决方案公司
CPC分类号： G02B3/0068 , B29C43/18 , B29C43/50 , B29D11/00307 , B29D11/00375 , B29D11/00865 , G02B3/0062 , H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L27/14627
摘要： 为了抑制透镜的污染或损坏的发生。在本技术中，例如，制造装置允许比透镜树脂部从基板突出的高度更厚的间隔件附接到所述基板。此外，例如，在本技术中，所述制造装置通过使用由两层模具构成的模型在形成于所述基板中的通孔的内侧模制所述透镜树脂部，并且在模制所述透镜树脂部之后，在一个模具附接在所述基板上的状态下，所述制造装置将所述基板从所述另一个模具脱模。例如，本技术可以适用于带透镜的基板、层叠透镜结构、相机模块、制造装置、制造方法、电子设备、计算机、程序、存储介质、系统等。
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