- 专利标题: 一种基于RBF神经网络模型预测半导体器件结温的方法
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申请号: CN202110167067.4申请日: 2021-02-05
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公开(公告)号: CN112926259B公开(公告)日: 2024-01-26
- 发明人: 吕红亮 , 严思璐 , 戚军军 , 郭袖秀 , 张玉明 , 张义门
- 申请人: 西安电子科技大学
- 申请人地址: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- 专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- 代理机构: 西安嘉思特知识产权代理事务所
- 代理商 刘长春
- 主分类号: G06F30/27
- IPC分类号: G06F30/27 ; G06F30/23 ; G06N3/048 ; G06N3/08 ; G06F119/08
摘要:
本发明公开了一种基于RBF神经网络模型预测半导体器件结温的方法,包括:确定半导体器件的环境温度和功耗;将所确定的环境温度和功耗输入至预先训练完成的RBF神经网络模型,以使该RBF神经网络模型输出所述半导体器件的结温;其中,所述RBF神经网络模型是基于预先构建的数据集所训练获得的;所述数据集包括:通过有限元分析法所获得的、在多种仿真条件下器件模型的结温;所述器件模型为所述半导体器件的仿真模型,每种所述仿真条件对应一种预设的环境温度和一种预设的功耗。本发明能够简单、高效、快速以及精确地预测半导体器件结温。
公开/授权文献
- CN112926259A 一种基于RBF神经网络模型预测半导体器件结温的方法 公开/授权日:2021-06-08