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公开(公告)号：CN112560892A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011239220.1
申请日：2020-11-09
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
摘要： 本发明实施例提供的一种基于机器学习的DC‑DC电源的健康状态监测方法，通过构建DC‑DC电源退化电路，获取该电路当前时间的退化特征参数，使用训练好的机器学习分类模型对第一特征向量进行识别，确定DC‑DC电源退化电路所属的故障模式，以此确定该电路中发生退化的易退化元件或者易退化元件组合，实现故障元件的精准定位，然后使用训练好的隐马尔科夫模型对第一特征向量识别，确定DC‑DC电源退化电路的健康状态，以此预测电路的寿命。相较于现有技术的故障定位及寿命预测方法，本发明可以更加简洁的实现精准的故障定位以及提高预测DC‑DC电源寿命的准确性。
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公开(公告)号：CN118607441A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410655093.5
申请日：2024-05-24
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F30/367
摘要： 本发明涉及一种基于HEMT器件的可缩放小信号模型的建模方法，方法包括：获取若干不同尺寸的HEMT器件在不同偏置点下的若干S参数；根据HEMT器件的结构构建的等效电路拓扑结构，提取寄生结构的参数和本征结构的本征参数；根据本征参数随栅指的宽度和栅指的数量的变化趋势，得到非线性的缩放规则模型；根据非线性的缩放规则模型处理待求解的本征参数，得到本征参数求解结果；根据寄生参数和本征参数求解结果建立所述HEMT器件的模型。本发明的建模方法改善了基于传统线性缩放规则的小信号可缩放模型建模方法不精确的缺陷。
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公开(公告)号：CN112926259B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202110167067.4
申请日：2021-02-05
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F30/27 , G06F30/23 , G06N3/048 , G06N3/08 , G06F119/08
摘要： 本发明公开了一种基于RBF神经网络模型预测半导体器件结温的方法，包括：确定半导体器件的环境温度和功耗；将所确定的环境温度和功耗输入至预先训练完成的RBF神经网络模型，以使该RBF神经网络模型输出所述半导体器件的结温；其中，所述RBF神经网络模型是基于预先构建的数据集所训练获得的；所述数据集包括：通过有限元分析法所获得的、在多种仿真条件下器件模型的结温；所述器件模型为所述半导体器件的仿真模型，每种所述仿真条件对应一种预设的环境温度和一种预设的功耗。本发明能够简单、高效、快速以及精确地预测半导体器件结温。
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公开(公告)号：CN116882344A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310712568.5
申请日：2023-06-15
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F30/367 , G06F119/08 , G06F119/04
摘要： 本发明涉及一种半导体器件总剂量效应和热载流子效应耦合特性的仿真方法，包括：通过半导体器件仿真器进行MOSFET器件结构建模，得到仿真器件；从仿真器件在总剂量效应的基础上进行热载流子效应的退化过程中选取若干目标阶段；在不同目标阶段，定义氧化层中的陷阱电荷，同时定义Si和SiO2界面处的界面态，形成若干目标状态；对仿真器件在不同目标状态下仿真热载流子退化效应。该方法可以准确的反映特殊应用环境下器件的特性退化规律，正确的评估器件的辐照和老化可靠性，并对半导体器件的抗辐照加固工艺进行指导。
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公开(公告)号：CN116484792A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310287823.6
申请日：2023-03-22
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F30/392 , G06F111/06
摘要： 本发明涉及一种半导体器件的可靠性紧凑模型建立方法，包括：获取半导体器件的关键特性的退化前测试数据，建立相应的紧凑型模型拓扑；提取紧凑型模型拓扑中元件的退化前的参数，进行可靠性实验，获取关键特性退化后的可靠性测试数据；根据紧凑型模型拓扑和退化前的参数对退化后的可靠性测试数据进行表征，确定影响器件退化特性表征的敏感参数；获取敏感参数相对于退化前的退化量，根据退化量随可靠性参量的变化规律建立退化模型；利用退化模型对敏感参数进行修正，得到半导体器件的可靠性紧凑模型。依据本发明的方法建立起来的可靠性模型，为器件的退化机理分析提供了依据，且易于兼容电路设计软件，提高了可靠性集成电路的设计效率。
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公开(公告)号：CN113191036B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202110298384.X
申请日：2021-03-19
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F30/23 , G06F30/33 , G06F111/04 , G06F111/06
摘要： 本发明公开了一种共面波导等效电路结构及其参数提取方法，共面波导等效电路结构包括：第一等效电容(Cf1)、第二等效电容(Cf2)、第一等效电阻(Rsi1)、第二等效电阻(Rsi2)、第一等效电感(Lsi1)、第二等效电感(Lsi2)、第三等效电容(Cox1)、第四等效电容(Cox2)、第三等效电阻(Rs)、第三等效电感(Ls)、第四等效电阻(Rsk)以及第四等效电感(Lsk)。本发明建立用于毫米波波段带地屏蔽层共面波导等效电路结构，不仅保证了结果的准确性，同时包含的电路元件较少，有助于对用于毫米波波段带地屏蔽层共面波导进行深入分析。
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公开(公告)号：CN110459541B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201910569151.1
申请日：2019-06-27
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L27/082 , H01L29/739
摘要： 本发明涉及一种平面互补型隧穿场效应晶体管反相器，是由InAs/Si异质结TFET和Ge/Si异质结TFET组成的平面结构，其中，InAs/Si异质结TFET和Ge/Si异质结TFET分别作为NTFET与PTFET。本发明新型平面CTFET反相器中的NTFET与PTFET的隧穿结处均采用沟道覆盖源区的异质隧穿结形式，异质结隧穿可以提高反相器的工作频率，并且可以通过调控沟道覆盖源区的长度调节NTFET与PTFET的隧穿电流。NTFET与PTFET均为埋层漏的平面结构，利用电学特性隔离的方式避免了漏空隔离的工艺复杂度，而且可以实现与传统CMOS工艺的兼容。
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公开(公告)号：CN107153724B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201710259562.1
申请日：2017-04-20
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F30/23 , G06F30/398 , G06F119/08
摘要： 本发明公开了基于迭代算法的芯片温度分析方法，涉及集成电路分析技术领域，通过在有限元软件中建立单个器件热学分析模型，能够快速地得到其温度分布曲线，并且结合MATLAB软件拟合了温度分布函数，利用温度叠加原理，把函数表达式编程到温度计算过程中，避免了传统有限元方法的对整个芯片建立实体模型和网格划分过程，能够简单、快速和高效地实现大规模芯片电路的温度分析。在MATLAB编程中利用迭代算法，将耦合温升所带来的影响等效为环境温度的变化，根据等效后的环境温度得到新的自热温升和耦合温升，从而得到新的温度分布，随后不断地进行迭代计算，直到满足收敛条件，相比于非迭代算法，精度明显提高，能够有效地减小误差。
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公开(公告)号：CN106961273B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201710235977.5
申请日：2017-04-12
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了基于稳态防漏电保护和电流沉控制技术的电荷泵电路，涉及电路设计技术领域，包括防漏电保护模块、电流沉控制模块、开关模块、电流沉和电流源模块、环路滤波模块以及缓冲模块。电荷泵不需要电路电流沉与电流源精确匹配，只需满足电流沉电流大于等于电流源的电流即可。电路的工作条件更容易满足，化合物半导体电荷泵更容易实现。同时防漏电保护模块采用两个二极管来实现，该模块的结构简单，不会额外占用过多的芯片面积，更加方便集成。防漏电保护技术利用二极管的单向导电性可以解决稳态时由于电流源和电流沉不匹配所导致的漏电问题，从而使电荷泵电路在稳态情况下输出控制电压固定不变。
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公开(公告)号：CN110717242A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910797917.1
申请日：2019-08-27
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F30/20 , G06F30/30 , G06F30/32 , G06F17/16 , G06F119/10
摘要： 本发明涉及一种InP HEMT器件噪声等效电路模型建立方法，包括：建立InP HEMT小信号等效电路模型，并得到小信号等效电路模型参数值；根据InP HEMT小信号等效电路模型，得到InP HEMT噪声等效电路以及InP HEMT噪声等效电路的寄生噪声电流源参数和本征噪声电流源参数；将电路模型参数嵌入至InP HEMT噪声等效电路，得到InP HEMT器件噪声等效电路模型。本发明方法建立的InP HEMT器件噪声等效电路模型增加了用于表征沟道分布效应和衬底损耗效应的本征栅漏噪声电流源和本征衬底噪声电流源，提高了噪声等效电路模型在高频下的拟合精度。
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