- 专利标题： 用于低压差调节器的自适应栅极偏置场效应晶体管
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申请号： CN201980069990.5申请日： 2019-08-26
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公开(公告)号： CN112930506B公开(公告)日： 2022-09-09
- 发明人: 吴争争 , 宋超
- 申请人： 高通股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理商 张昊
- 优先权： 16/170,700 20181025 US
- 国际申请： PCT/US2019/048075 2019.08.26
- 国际公布： WO2020/086150 EN 2020.04.30
- 进入国家日期： 2021-04-22
- 主分类号： G05F1/565
- IPC分类号： G05F1/565 ; G05F1/575 ; G05F1/618
摘要：
本文根据特定方面公开了低压差(LDO)调节器的负载电路。负载电路包括场效应晶体管，其具有耦合到电源导轨的源极、栅极和耦合到LDO调节器的传输晶体管的栅极的漏极。负载电路还包括耦合在场效应晶体管的漏极和栅极之间的可调电压源以及电压控制电路，该电压控制电路被配置为检测通过传输晶体管的电流负载的变化，并且基于电流负载中的检测到的变化来调节可调电压源的电压。
公开/授权文献
- CN112930506A 用于低压差调节器的自适应栅极偏置场效应晶体管 公开/授权日：2021-06-08
IPC分类:
