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公开(公告)号:CN111869106B
公开(公告)日:2024-10-11
申请号:CN201980014849.5
申请日:2019-01-24
申请人: 高通股份有限公司
摘要: 公开了一种分级时间数字转换器(110),TDC,其包括两个环形振荡器(205,210),该两个环形振荡器(205,210)用于确定两个时钟边沿之间的时间差。在一些实现方式中,TDC包括慢振荡器(205),其被配置为响应于第一时钟边沿而振荡慢振荡器输出信号;粗略计数器(220),其被配置为响应于慢振荡器输出信号的周期而对粗略计数进行计数;快振荡器(210),其被配置为响应于第二时钟边沿而振荡快振荡器输出信号;以及精细计数器(225),其被配置为响应于快振荡器输出信号的周期而对精细计数进行计数,其中快振荡器输出信号的频率大于慢振荡器输出信号的频率。
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公开(公告)号:CN112930506A
公开(公告)日:2021-06-08
申请号:CN201980069990.5
申请日:2019-08-26
申请人: 高通股份有限公司
摘要: 本文根据特定方面公开了低压差(LDO)调节器的负载电路。负载电路包括场效应晶体管,其具有耦合到电源导轨的源极、栅极和耦合到LDO调节器的传输晶体管的栅极的漏极。负载电路还包括耦合在场效应晶体管的漏极和栅极之间的可调电压源以及电压控制电路,该电压控制电路被配置为检测通过传输晶体管的电流负载的变化,并且基于电流负载中的检测到的变化来调节可调电压源的电压。
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公开(公告)号:CN114830534A
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN202080087905.0
申请日:2020-10-28
申请人: 高通股份有限公司
摘要: 公开了一种使用CMOS电路来生成精确且PVT稳定的时间延迟或频率的方法。在一些实施方式中,方法包括:使用电阻模块在运算放大器的正输入端子处提供基准电压;将成对p型金属氧化物半导体(pMOS)晶体管的栅极和补偿电容器耦合到运算放大器的输出端子以生成第一偏置信号;以及将成对n型金属氧化物半导体(nMOS)晶体管耦合到运算放大器的负端子,以在负端子处生成第二偏置信号,其中该成对nMOS晶体管与CMOS延迟电路中的成对nMOS晶体管基本相同。
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公开(公告)号:CN111869106A
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN201980014849.5
申请日:2019-01-24
申请人: 高通股份有限公司
摘要: 公开了一种分级时间数字转换器(110),TDC,其包括两个环形振荡器(205,210),该两个环形振荡器(205,210)用于确定两个时钟边沿之间的时间差。在一些实现方式中,TDC包括慢振荡器(205),其被配置为响应于第一时钟边沿而振荡慢振荡器输出信号;粗略计数器(220),其被配置为响应于慢振荡器输出信号的周期而对粗略计数进行计数;快振荡器(210),其被配置为响应于第二时钟边沿而振荡快振荡器输出信号;以及精细计数器(225),其被配置为响应于快振荡器输出信号的周期而对精细计数进行计数,其中快振荡器输出信号的频率大于慢振荡器输出信号的频率。
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公开(公告)号:CN112930506B
公开(公告)日:2022-09-09
申请号:CN201980069990.5
申请日:2019-08-26
申请人: 高通股份有限公司
摘要: 本文根据特定方面公开了低压差(LDO)调节器的负载电路。负载电路包括场效应晶体管,其具有耦合到电源导轨的源极、栅极和耦合到LDO调节器的传输晶体管的栅极的漏极。负载电路还包括耦合在场效应晶体管的漏极和栅极之间的可调电压源以及电压控制电路,该电压控制电路被配置为检测通过传输晶体管的电流负载的变化,并且基于电流负载中的检测到的变化来调节可调电压源的电压。
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