时间数字转换器、延迟测量方法和数字锁相环

    公开(公告)号:CN111869106B

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN201980014849.5

    申请日:2019-01-24

    IPC分类号: H03K5/26 G04F10/00

    摘要: 公开了一种分级时间数字转换器(110),TDC,其包括两个环形振荡器(205,210),该两个环形振荡器(205,210)用于确定两个时钟边沿之间的时间差。在一些实现方式中,TDC包括慢振荡器(205),其被配置为响应于第一时钟边沿而振荡慢振荡器输出信号;粗略计数器(220),其被配置为响应于慢振荡器输出信号的周期而对粗略计数进行计数;快振荡器(210),其被配置为响应于第二时钟边沿而振荡快振荡器输出信号;以及精细计数器(225),其被配置为响应于快振荡器输出信号的周期而对精细计数进行计数,其中快振荡器输出信号的频率大于慢振荡器输出信号的频率。

    用于低压差调节器的自适应栅极偏置场效应晶体管

    公开(公告)号:CN115309226A

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202211066745.9

    申请日:2019-08-26

    发明人: 吴争争 宋超

    IPC分类号: G05F1/565

    摘要: 本文根据特定方面公开了低压差(LDO)调节器的负载电路。负载电路包括场效应晶体管,其具有耦合到电源导轨的源极、栅极和耦合到LDO调节器的传输晶体管的栅极的漏极。负载电路还包括耦合在场效应晶体管的漏极和栅极之间的可调电压源以及电压控制电路,该电压控制电路被配置为检测通过传输晶体管的电流负载的变化,并且基于电流负载中的检测到的变化来调节可调电压源的电压。

    具有用于低抖动和快速锁定的拆分控制环路的数字相位频率检测器

    公开(公告)号:CN116783559A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202180080709.5

    申请日:2021-11-23

    IPC分类号: G04F10/00

    摘要: 数字相位频率检测器使用环形振荡器来表征两个输入时钟信号之间的延迟。环形振荡器信号在延迟期间循环通过环形振荡器中的环路的循环计数提供对延迟的粗略测量。延迟结束时环路中的环形振荡器信号的相位提供对延迟的精细测量。数字锁相环可以响应于延迟的精细测量来控制数字控制振荡器的振荡频率,并且可以响应于延迟的粗略测量来控制时钟分频器内的分频。

    用于低压差调节器的自适应栅极偏置场效应晶体管

    公开(公告)号:CN112930506A

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN201980069990.5

    申请日:2019-08-26

    发明人: 吴争争 宋超

    IPC分类号: G05F1/565 G05F1/575 G05F1/618

    摘要: 本文根据特定方面公开了低压差(LDO)调节器的负载电路。负载电路包括场效应晶体管,其具有耦合到电源导轨的源极、栅极和耦合到LDO调节器的传输晶体管的栅极的漏极。负载电路还包括耦合在场效应晶体管的漏极和栅极之间的可调电压源以及电压控制电路,该电压控制电路被配置为检测通过传输晶体管的电流负载的变化,并且基于电流负载中的检测到的变化来调节可调电压源的电压。

    具有改进的稳定性的功率和面积有效的数字-时间转换器

    公开(公告)号:CN116325506A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202180070908.8

    申请日:2021-11-18

    IPC分类号: H03K5/131

    摘要: 数字时间‑转换器(DTC)使用充当充电电容器的电容器数模转换器(CDAC)将数字代码转换为时间延迟。DTC包括切换式电容器电压‑电流转换器,其用于形成充电电流(或放电电流),以用于响应于用于开始时间延迟的触发时钟边沿来对充电电容器进行充电(或放电)。比较器将充电电容器上的电压与阈值电压进行比较,以确定时间延迟的结束。

    使用CMOS电路生成精确且PVT稳定的时间延迟或频率的方法

    公开(公告)号:CN114830534A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202080087905.0

    申请日:2020-10-28

    IPC分类号: H03K3/011 H03K3/03 H03K5/134

    摘要: 公开了一种使用CMOS电路来生成精确且PVT稳定的时间延迟或频率的方法。在一些实施方式中,方法包括:使用电阻模块在运算放大器的正输入端子处提供基准电压;将成对p型金属氧化物半导体(pMOS)晶体管的栅极和补偿电容器耦合到运算放大器的输出端子以生成第一偏置信号;以及将成对n型金属氧化物半导体(nMOS)晶体管耦合到运算放大器的负端子,以在负端子处生成第二偏置信号,其中该成对nMOS晶体管与CMOS延迟电路中的成对nMOS晶体管基本相同。

    用于低压差调节器的自适应栅极偏置场效应晶体管

    公开(公告)号:CN115309226B

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202211066745.9

    申请日:2019-08-26

    发明人: 吴争争 宋超

    IPC分类号: G05F1/565

    摘要: 本文根据特定方面公开了低压差(LDO)调节器的负载电路。负载电路包括场效应晶体管,其具有耦合到电源导轨的源极、栅极和耦合到LDO调节器的传输晶体管的栅极的漏极。负载电路还包括耦合在场效应晶体管的漏极和栅极之间的可调电压源以及电压控制电路,该电压控制电路被配置为检测通过传输晶体管的电流负载的变化,并且基于电流负载中的检测到的变化来调节可调电压源的电压。

    用于低压差调节器的自适应栅极偏置场效应晶体管

    公开(公告)号:CN112930506B

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN201980069990.5

    申请日:2019-08-26

    发明人: 吴争争 宋超

    IPC分类号: G05F1/565 G05F1/575 G05F1/618

    摘要: 本文根据特定方面公开了低压差(LDO)调节器的负载电路。负载电路包括场效应晶体管,其具有耦合到电源导轨的源极、栅极和耦合到LDO调节器的传输晶体管的栅极的漏极。负载电路还包括耦合在场效应晶体管的漏极和栅极之间的可调电压源以及电压控制电路,该电压控制电路被配置为检测通过传输晶体管的电流负载的变化,并且基于电流负载中的检测到的变化来调节可调电压源的电压。