- 专利标题: 用于MMC的IGBT器件可靠性试验装置、系统及方法
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申请号: CN202110202180.1申请日: 2021-02-23
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公开(公告)号: CN112946451A公开(公告)日: 2021-06-11
- 发明人: 杨艺烜 , 刘杉 , 庞辉 , 李学宝 , 赵志斌 , 崔翔
- 申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
- 申请人地址: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号;
- 专利权人: 全球能源互联网研究院有限公司,华北电力大学
- 当前专利权人: 全球能源互联网研究院有限公司,华北电力大学
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号;
- 代理机构: 北京高沃律师事务所
- 代理商 张琳丽
- 主分类号: G01R31/26
- IPC分类号: G01R31/26
摘要:
本发明公开了一种用于MMC的IGBT器件可靠性试验装置、系统及方法。该装置包括:驱动脉冲生成器、两个试验电路、两个供能电路,每个试验电路中都有IGBT器件,两个电容的电压绝对值达到MMC中IGBT器件的工作电压后,通过电感和电容的谐振作用,使IGBT器件的通态电流符合MMC工况应力特点,在IGBT完成一个试验周期后,电容的极性发生改变,在IGBT关断后,只需给电容补充损耗的电压即可快速达到IGBT器件的工作电压,满足IGBT进行下一试验周期的需求。采用本发明的试验装置、系统及方法,能够对IGBT器件进行可靠性评估,避免因IGBT的可靠性不高导致MMC无法正常工作的问题。
公开/授权文献
- CN112946451B 用于MMC的IGBT器件可靠性试验装置、系统及方法 公开/授权日:2021-11-02