一种MMC工况功率半导体器件测试电路及控制方法

    公开(公告)号:CN113092979B

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110409385.7

    申请日:2021-04-16

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明涉及一种MMC工况功率半导体器件测试电路及控制方法。测试电路中电流模块包括:电压源和多个并联的H桥变换器单元;H桥变换器单元与电压源串联;H桥变换器单元包括:第一二极管、第一电容、H桥变换器及两个桥臂电感;电压源的正极与第一二极管的正极连接,第一二极管的负极与第一电容的一端及H桥变换器的两个桥臂的输入端连接,H桥变换器的两个桥臂的输出端及第一电容的另一端与电压源的负极连接;桥臂中点连接一桥臂电感,两桥臂电感之间串联被测功率半导体器件;电压模块串联在两桥臂电感之间的电流回路;电流控制模块与电流源模块及电压模块连接;电压控制模块与电压模块连接。本发明提高了MMC工况功率半导体器件测试系统的可靠性。

    用于MMC的IGBT器件可靠性试验装置、系统及方法

    公开(公告)号:CN112946451A

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN202110202180.1

    申请日:2021-02-23

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明公开了一种用于MMC的IGBT器件可靠性试验装置、系统及方法。该装置包括:驱动脉冲生成器、两个试验电路、两个供能电路,每个试验电路中都有IGBT器件,两个电容的电压绝对值达到MMC中IGBT器件的工作电压后,通过电感和电容的谐振作用,使IGBT器件的通态电流符合MMC工况应力特点,在IGBT完成一个试验周期后,电容的极性发生改变,在IGBT关断后,只需给电容补充损耗的电压即可快速达到IGBT器件的工作电压,满足IGBT进行下一试验周期的需求。采用本发明的试验装置、系统及方法,能够对IGBT器件进行可靠性评估,避免因IGBT的可靠性不高导致MMC无法正常工作的问题。

    用于MMC的IGBT器件可靠性试验装置、系统及方法

    公开(公告)号:CN112946451B

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110202180.1

    申请日:2021-02-23

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明公开了一种用于MMC的IGBT器件可靠性试验装置、系统及方法。该装置包括:驱动脉冲生成器、两个试验电路、两个供能电路,每个试验电路中都有IGBT器件,两个电容的电压绝对值达到MMC中IGBT器件的工作电压后,通过电感和电容的谐振作用,使IGBT器件的通态电流符合MMC工况应力特点,在IGBT完成一个试验周期后,电容的极性发生改变,在IGBT关断后,只需给电容补充损耗的电压即可快速达到IGBT器件的工作电压,满足IGBT进行下一试验周期的需求。采用本发明的试验装置、系统及方法,能够对IGBT器件进行可靠性评估,避免因IGBT的可靠性不高导致MMC无法正常工作的问题。

    一种MMC用功率半导体器件可靠性试验装置及方法

    公开(公告)号:CN113009308A

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN202110202189.2

    申请日:2021-02-23

    IPC分类号: G01R31/26 G01R31/00 H02M7/483

    摘要: 本发明公开了一种种MMC用功率半导体器件可靠性试验装置及方法,所述装置包括:高压电容、放电电容、电感、被测功率半导体器件、续流二极管、辅助IGBT开关、预关断续流回路二极管、高压直流电源、驱动脉冲生成器、电流测量单元、电压测量单元、温度测量单元;所述装置的电路拓扑可以实现MMC用功率半导体器件的应力特点等效,填补了现有器件级可靠性试验装置模拟MMC换流器应力方面的空白。所述方法通过简单时序控制辅助IGBT开关的通断,即可在不影响被测功率半导体器件工况的情况下实现不同电容的投切,保证装置长时间稳定运行,控制过程简单,装置可靠性高。

    一种MMC用功率半导体器件可靠性试验装置及方法

    公开(公告)号:CN113009308B

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN202110202189.2

    申请日:2021-02-23

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明公开了一种种MMC用功率半导体器件可靠性试验装置及方法,所述装置包括:高压电容、放电电容、电感、被测功率半导体器件、续流二极管、辅助IGBT开关、预关断续流回路二极管、高压直流电源、驱动脉冲生成器、电流测量单元、电压测量单元、温度测量单元;所述装置的电路拓扑可以实现MMC用功率半导体器件的应力特点等效,填补了现有器件级可靠性试验装置模拟MMC换流器应力方面的空白。所述方法通过简单时序控制辅助IGBT开关的通断,即可在不影响被测功率半导体器件工况的情况下实现不同电容的投切,保证装置长时间稳定运行,控制过程简单,装置可靠性高。

    一种MMC工况功率半导体器件测试电路及控制方法

    公开(公告)号:CN113092979A

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202110409385.7

    申请日:2021-04-16

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明涉及一种MMC工况功率半导体器件测试电路及控制方法。测试电路中电流模块包括:电压源和多个并联的H桥变换器单元;H桥变换器单元与电压源串联;H桥变换器单元包括:第一二极管、第一电容、H桥变换器及两个桥臂电感;电压源的正极与第一二极管的正极连接,第一二极管的负极与第一电容的一端及H桥变换器的两个桥臂的输入端连接,H桥变换器的两个桥臂的输出端及第一电容的另一端与电压源的负极连接;桥臂中点连接一桥臂电感,两桥臂电感之间串联被测功率半导体器件;电压模块串联在两桥臂电感之间的电流回路;电流控制模块与电流源模块及电压模块连接;电压控制模块与电压模块连接。本发明提高了MMC工况功率半导体器件测试系统的可靠性。

    高压直流断路器中IGBT器件可靠性评估方法、装置及模型

    公开(公告)号:CN109710971B

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN201811384152.0

    申请日:2018-11-20

    IPC分类号: G06F30/367 G06F119/02

    摘要: 本发明提供了一种高压直流断路器中IGBT器件可靠性评估方法和装置,将获取的电容放电曲线和流过半导体模块中IGBT器件的电流曲线分别代入预先构建的仿真模型,分别得到半导体单元和半导体模块中IGBT器件的评估参数;基于半导体单元中IGBT器件的评估参数和半导体模块中IGBT器件的评估参数对半导体模块中IGBT器件的可靠性进行评估;评估参数包括结温曲线、关断时刻和最高结温,仿真模型包括半导体单元。本发明得到的可靠性评估结果准确性高,能够准确反映仿真模型中IGBT器件在关断时刻的结温和电流值和直流断路器中IGBT器件在实际工况下的关断时刻的结温和电流值,为验证直流断路器中IGBT器件是否能够满足直流断路器特殊工况的要求提供基础,且简单易行,易于实现。

    一种用于电磁暂态仿真的理想开关过程分析方法及系统

    公开(公告)号:CN110968938B

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN201911049362.9

    申请日:2019-10-31

    发明人: 庞辉 高路 纪锋 林畅

    IPC分类号: G06F30/20

    摘要: 本发明涉及用于电磁暂态仿真的理想开关过程分析方法及系统,包括以下内容:步骤1.根据电磁暂态仿真系统的开关标志变量求解电磁暂态仿真系统中的状态方程,获取当前时步电磁暂态仿真系统的状态量值;步骤2.确定当前时步内电磁暂态仿真系统中的开关动作情况;步骤3.根据当前时步内电磁暂态仿真系统中的开关动作情况更新电磁暂态仿真系统的仿真时间、电磁暂态仿真系统的状态量值以及开关标志变量,若仿真到达设定结束时间,则输出电磁暂态仿真系统的状态量值,否则返回步骤1。本发明只需一步迭代求解过程即可处理开关动作,有效提高仿真效率。

    柔性直流输电线路雷击干扰识别方法、装置、系统及介质

    公开(公告)号:CN112630590B

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202011297161.3

    申请日:2020-11-18

    IPC分类号: G01R31/08

    摘要: 本发明公开了一种柔性直流输电线路雷击干扰识别方法、装置、系统及可读存储介质,所述方法包括:步骤1:采集柔性直流输电线路上在保护启动时刻前、后的电压行波数据和电流行波数据;步骤2:利用所述电压行波数据和所述电流行波数据构造线模反向电压行波;步骤3:对所述线模反向电压行波进行小波变换提取特定尺度下的模极大值;步骤4:利用所述特定尺度下的模极大值识别是否发生了雷击干扰。本发明利用所述方法在柔性直流输电线路全长范围内,可以快速可靠地识别线路的雷电绕击干扰,满足柔性直流输电线路继电保护需求,为行波保护在柔性直流输电系统中的实用化进程提供了有力支撑。