本发明具体公开了一种基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法，所述方法包括以下步骤：S1、将半绝缘砷化镓衬底送入MBE腔中去除表面氧化层；S2、在去除表面氧化层的半绝缘砷化镓衬底上生长一层砷化镓n型接触层；S3、在砷化镓n型接触层上生长一层非掺杂砷化镓雪崩倍增层；S4、在非掺杂砷化镓雪崩倍增层上生长一层p型砷化镓电子调节层；S5、在p型砷化镓电子调节层上生长一层非掺杂锗吸收层；S6、将步骤S5获得的砷化镓衬底通过真空传输输送至用于锗生长的MBE腔内并在砷化镓衬底上生长一层锗p型接触层，从而获得基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器。本发明通过将晶格匹配的锗材料外延生长在砷化镓衬底上，有效减少了器件的暗电流和制造成本。