本发明提供了一种单晶高温合金表面缺陷扩散外延生长修复材料及修复方法。该修复材料化学成分为：Cr 9.0～22.0wt.％，Co 4.0～9.0wt.％，Mo 1.0～4.0wt.％，W 4.0～8.0wt.％，Al 5.0～12.0wt.％，Ta 24.0～32.0wt.％，Ti 9.0～16.0wt.％，其余为Ni。采用电极感应熔炼气雾化或等离子旋转电极等制粉工艺制备上述成分的合金粉末用于单晶高温合金的扩散外延生长修复。在修复温度为1240～1310℃，保温时间为0.5～3h时，单晶高温合金表面缺陷修复区已实现了单晶化。本发明提出的扩散外延生长修复材料不采用B、Si、Hf、Zr、Ge等元素作为降熔元素，而是通过对单晶高温合金中元素的多元化设计与调控，来获得低熔点的修复材料。采用该修复材料及工艺可在较短保温时间内实现单晶高温合金表面缺陷修复区的单晶化，大幅提升修复过程动力学。