一种轻质型铝硅外壳及其制备方法

    公开(公告)号:CN118613005A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202410645482.X

    申请日:2024-05-23

    摘要: 本发明属于微电子封装技术领域,尤其是一种轻质型铝硅外壳及其制备方法。本发明外壳由壳体和绝缘子组件组成,壳体自上而下设置有钢基封口环和铝硅底盘;铝硅底盘的底部设有若干底盘孔,绝缘子组件与底盘孔固定连接。本发明采用优质碳素结构钢基封口环与铝硅底盘结合的方式制成金属壳体,较于现有的金属外壳,不仅减轻了重量,还大大降低了铝硅金属外壳的制作成本,且界面处空洞率低。

    一种晶圆回流真空炉
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN118315292B

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202410725524.0

    申请日:2024-06-06

    摘要: 本发明涉及半导体芯片加工技术领域,一种晶圆回流真空炉,包括第二预热区、焊接区、多个晶圆托盘、第三插板阀、第四插板阀、第五插板阀、第六插板阀和第一冷却区;依工作流程设置所述第二预热区、所述焊接区和所述第一冷却区,所述第二预热区进口端设置所述第三插板阀,所述第二预热区出口端设置所述第四插板阀,所述焊接区的进口端设置所述第四插板阀,所述焊接区的出口端设置所述第五插板阀,所述第一冷却区的进口端设置所述第五插板阀,所述第一冷却区的出口端设置所述第六插板阀,所述第二预热区、所述焊接区和所述第一冷却区内部设置所述晶圆托盘,所述晶圆托盘的支撑腿支撑晶圆。在晶圆回流过程中不容易发生卡板。

    制造由异种金属制成的部件的方法

    公开(公告)号:CN111828605B

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202010300675.3

    申请日:2020-04-16

    摘要: 一种制品包括具有第一配合表面的第一部件和具有第二配合表面的第二部件。第一部件可以包括具有内花键或齿轮齿的孔,和/或具有外花键或齿轮齿的外周。布置第一和第二部件,使得在第一和第二配合表面之间提供间隙。钎焊材料被布置在第一配合表面和第二配合表面之间,以机械地联接第一和第二部件。第一部件可以由粉末金属或非粉末金属制成,并且第二部件可以由这样的两种金属中的另一种金属制成。在一个实施例中,第一部件可以为具有内花键的行星架板部分,而第二部件可以为行星架轴套部分。

    一种高速钢和硬质合金真空钎焊连接方法

    公开(公告)号:CN118527753A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202410856157.8

    申请日:2024-06-28

    IPC分类号: B23K1/008 B23K1/20 B23K103/18

    摘要: 本发明公开了一种高速钢和硬质合金的真空钎焊连接方法,包括:准备一定质量比的Cu和Ni的金属颗粒,通过熔炼形成金属锭然后切割为钎料箔片;称量一定质量比的Ni、Co、Si和Nb粉末并进行球磨得到钎料粉末,使用粘结剂羟乙基纤维所混合为膏状钎料;将膏状钎料均匀地涂在打磨清洗后的待焊接的硬质合金表面;将钎料箔片放置在已涂膏状钎料的待焊接的硬质合金和待焊接的高速钢之间,将装配好的零件装入石墨模具中并配重,然后通过真空真空钎焊炉进行钎焊。该方法能保证焊接接头界面致密,同时保证焊接接头的使用性能和力学性能。

    排针侧面插入焊接夹具及方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118492554A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410686834.6

    申请日:2024-05-30

    摘要: 本发明涉及一种排针侧面插入焊接夹具及方法,其中焊接夹具包括:底座夹具,具有用于固定待焊接电路板的安装位,以及供排针元件滑动的轨道;推杆,配置为能沿轨道滑动并推动排针元件插入电路板的侧面;盖板,与底座夹具可拆卸固定连接,用于压紧插入电路板的排针元件;其中,轨道的高度配置为能使排针元件以平行于电路板的姿态插入电路板的侧面;推杆推进方向的面上设有与排针元件外形相匹配的缺口,缺口用于限制引脚在轨道宽度方向上的运动。本发明所设计的排针侧面插入焊接夹具及方法,实现了特殊排针元件的侧面插入和定位,一举解决了传统手工焊接方式的诸多问题,焊点形成质量良好且稳定一致,满足了产品的严格精度要求。

    一种适用于钼铼合金的钎焊工艺
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118492546A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410797999.0

    申请日:2024-06-20

    摘要: 本发明公开了一种适用于钼铼合金的钎焊工艺,该工艺包括以下步骤:步骤一:对钼铼合金的两个待焊面表面进行表面处理;步骤二:将步骤一中处理好的一个待焊面上利用挤压式针筒管涂抹厚度为30μm~60μm膏状钎料,将两个待焊面贴合,确保膏状钎料填满焊缝后放入烘箱中保温;步骤三:将步骤二中保温后的钼铼合金放入钎焊炉中,抽真空后以10℃/min~20℃/min的速率升温至700℃保温10min,然后以10℃/min~20℃/min的速率升温至1090℃~1210℃,保温0~40min后随炉冷却。本发明的钎焊工艺通过利用膏状钎料以及控制钎焊炉内的相关参数,实现钼铼合金的高质量焊接。

    一种自动化真空钎焊装置及其使用方法

    公开(公告)号:CN118492541A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410713558.8

    申请日:2024-06-04

    发明人: 欧召

    IPC分类号: B23K1/008 B23K3/047 B23K3/08

    摘要: 本发明涉及焊接装置技术领域,特别是涉及一种自动化真空钎焊装置及其使用方法,包括真空炉,真空炉的顶部设有焊接腔,焊接腔通过管道与抽真空系统连接,焊接腔内设有加热线圈,焊接腔的下侧设有上料接口,焊接腔与上料接口之间设有密封板,密封板的中部设有锥形通孔,上料接口的底部设有升降装置,升降装置的顶部设有与锥形通孔相匹配的锥形平台。本发明采用上述技术方案,解决了现有技术中真空钎焊装置结构复杂,焊件受热不均匀导致焊接出现空洞的问题。

    一种基于薄膜再生成梯度高熵化制备复材钎焊接头的方法

    公开(公告)号:CN118455677A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410714942.X

    申请日:2024-06-04

    发明人: 张宏强 张瑜 郭伟

    IPC分类号: B23K1/008 B23K1/20

    摘要: 本发明公开了一种基于薄膜再生成梯度高熵化制备复材钎焊接头的方法,属于钎焊技术领域。方法包括:根据原子间吸附作用强弱选择沉积靶材元素与薄膜沉积顺序;将陶瓷基复材待连接面进行清洗和干燥处理并放入沉积室内进行沉积;通过更换靶材和控制沉积时间在连接面制备多种沉积元素复合的多梯度复合层薄膜;将陶瓷基复材沉积多层薄膜的表面与自身搭接,按照一定顺序叠放得到样品,将装配的样品移至真空炉内进行钎焊连接。本发明可在成熟有效钎料基础上实现耐高温高质量钎焊,进而获得耐高温高质量高稳定性钎焊接头。该方法回归钎焊原理机制,兼具纳米尺度‑宏观尺度梯度高熵化焊缝组织,大幅提升接头高温强度与高温稳定性。

    用于面向等离子体的碳基高热负荷部件的一步钎焊工艺

    公开(公告)号:CN118404154A

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202410695656.3

    申请日:2024-05-31

    摘要: 本发明涉及一种用于面向等离子体的碳基高热负荷部件的一步钎焊工艺,碳基高热负荷部件包括碳基层、无氧铜层、铬锆铜层和不锈钢钢层;碳基层与无氧铜层之间、无氧铜层与铬锆铜层之间、铬锆铜层与不锈钢层之间均通过钎焊相连接。一步钎焊工艺包括:将碳基层、无氧铜层、铬锆铜层和不锈钢层四个材料层依次放置;在各个相邻的材料层之间分别铺设钎料,完成碳基高热负荷部件的装夹;对装夹好的碳基高热负荷部件进行一步钎焊,在一次钎焊过程中实现各材料层的钎焊连接。本发明为碳基高热负荷部件的制造提供连接技术支撑,极大地简化了部件的制造流程,降低了制造成本,缩短了制造周期,避免了循环加热对工艺性能的影响。