发明授权
- 专利标题: 半导体封装结构及其制作方法
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申请号: CN202110473757.2申请日: 2021-04-29
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公开(公告)号: CN112992810B公开(公告)日: 2021-08-06
- 发明人: 张吉钦 , 何正鸿 , 张超
- 申请人: 甬矽电子(宁波)股份有限公司
- 申请人地址: 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号
- 专利权人: 甬矽电子(宁波)股份有限公司
- 当前专利权人: 甬矽电子(宁波)股份有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号
- 代理机构: 北京超凡宏宇专利代理事务所
- 代理商 崔熠
- 主分类号: H01L23/31
- IPC分类号: H01L23/31 ; H01L23/495 ; H01L21/56
摘要:
一种半导体封装结构及其制作方法,涉及半导体封装技术领域。该制作方法包括提供一衬底,衬底上形成有第一焊盘、第二焊盘以及围设于第一焊盘和第二焊盘外周的多个第三焊盘;相对的两个第三焊盘之间通过金属打线的方式连接,以形成多条连接线;在衬底上贴装芯片,并将芯片分别与第一焊盘和第二焊盘通过金属打线的方式电连接,其中,连接线位于芯片的底部和衬底之间;在衬底上形成塑封层,塑封层覆盖芯片、连接线、第一焊盘和第二焊盘,以形成塑封体;通过植球工艺在衬底远离芯片的一面形成锡球。该半导体封装结构的制作方法能够提升封装产品的散热效果。
公开/授权文献
- CN112992810A 半导体封装结构及其制作方法 公开/授权日:2021-06-18
IPC分类: