半导体封装结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN118431177B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410889450.4

    申请日:2024-07-04

    发明人: 何正鸿

    摘要: 本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法,涉及半导体技术领域。该半导体封装结构包括具有导电线路的布线结构、位于布线结构上的介质层、位于介质层上且通过介质层与导电线路电连接的芯片、用于将芯片封装于介质层上的塑封层以及冷却结构;布线结构具有凹槽、第一散热孔和第二散热孔;冷却结构位于凹槽内且与导电线路电连接;冷却结构与凹槽的内壁之间的间隙形成第二散热孔,冷却结构通电产生振动以使第一散热孔处的热量通过第二散热孔与外界空气形成气流压差。该半导体封装结构能提高封装结构的散热性能、减小热冲击带来的应力形变对器件的影响。

    传感器封装结构和传感器封装制作方法

    公开(公告)号:CN118335763B

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202410749003.9

    申请日:2024-06-12

    摘要: 本申请提供的一种传感器封装结构和传感器封装制作方法,涉及半导体封装技术领域。该传感器封装结构包括第一基板、第一芯片、散热片和第二芯片。第一基板上设有第一焊盘和第二焊盘。第一芯片设于第一基板上,且与第一焊盘电连接。散热片设于第一芯片远离第一基板的一侧;散热片上设有下沉槽;下沉槽位于相邻第一芯片之间。第二芯片设于下沉槽内,第二芯片和第二焊盘电连接。下沉槽远离第二芯片的一侧与第一基板之间具有第一间隙。该结构提升了芯片的集成度,改善散热性能。

    电磁屏蔽结构制作方法和封装结构

    公开(公告)号:CN118763006A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202411252775.8

    申请日:2024-09-09

    摘要: 本申请提供了一种电磁屏蔽结构制作方法和封装结构,涉及半导体封装技术领域。该电磁屏蔽结构制作方法包括提供具有第一元件的衬底。利用3D打印技术在衬底上形成屏蔽部;其中,屏蔽部设于第一元件的外围;该步骤包括:构建屏蔽部的三维模型;识别衬底上的目标位置;依据三维模型在目标位置处铺设打印材料预成型屏蔽部。在衬底上注入塑封料形成包封第一元件和屏蔽部的塑封体;其中,塑封料与打印材料产生交联反应。研磨塑封体,以使屏蔽部从塑封体表面露出。在塑封体表面形成与屏蔽部电连的金属层;金属层和屏蔽部中至少一者具有接地属性。采用3D打印技术可以提高屏蔽部和塑封体的结合力,提高封装可靠性。

    倒装芯片球栅阵列的散热器结构及其封装方法

    公开(公告)号:CN118136597B

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202410572014.4

    申请日:2024-05-10

    发明人: 何正鸿 钟磊

    摘要: 本发明提供了一种倒装芯片球栅阵列的散热器结构及其封装方法,涉及半导体封装技术领域。该倒装芯片球栅阵列的散热器结构包括基板、第一芯片、第二芯片、散热盖和塑封体,第一芯片连接于基板。第二芯片连接于基板,且与第一芯片间隔设置。散热盖连接于基板,且盖设第一芯片和第二芯片。散热盖设有独立的第一空腔和第二空腔,第一空腔用于容纳第一芯片,第二空腔用于容纳第二芯片。第一空腔设有排气孔;散热盖开设有通孔。塑封体至少覆盖部分散热盖。该倒装芯片球栅阵列的散热器结构能实现回流焊接中气体排出,防止回流中熔化的混合物飞溅损伤其余芯片。

    芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法

    公开(公告)号:CN118471935A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410911710.3

    申请日:2024-07-09

    发明人: 何正鸿 李利 钟磊

    摘要: 本发明提供了一种芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法,涉及芯片封装技术领域,该芯片封装结构包括基板、第一芯片、第一塑封体、第二塑封体和多个打线柱,第一芯片贴设在基板的一侧,第一塑封体设置在基板的一侧表面;多个打线柱设置在基板的另一侧表面;第二塑封体设置在基板的另一侧表面,并包覆在打线柱周围;每个打线柱至少部分外露于第二塑封体,用于与电路板电连接。相较于现有技术,本发明利用打线柱来替代锡球,避免了采用锡球焊接技术,进而避免了锡球焊接带来的一系列问题,同时利用第二塑封体来支撑保护打线柱,能够大幅提升结构强度,保证了连接效果和连接强度,同时打线柱不会出现桥接或空洞现象,导电性能优异。

    芯片封装工艺和芯片封装结构

    公开(公告)号:CN117792321B

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202410205806.8

    申请日:2024-02-26

    发明人: 徐玉鹏 何正鸿

    IPC分类号: H03H3/08 H03H9/10 H03H9/64

    摘要: 本申请提供了一种芯片封装工艺和芯片封装结构,涉及半导体封装技术领域。该芯片封装工艺包括提供基板,其中,基板上设有第一焊盘和第二焊盘。在第一焊盘上贴装第一芯片;在第二焊盘上贴装第二芯片。在第一芯片上贴装覆盖层;其中,设有胶层的覆盖层仅覆盖第一芯片,胶层融化后以在第一芯片和基板之间形成密闭空腔。塑封第一芯片和第二芯片,其中,塑封料包覆第一芯片和第二芯片并进入第二芯片和基板之间的间隙。该封装工艺中仅在第一芯片上有覆盖层,在第二芯片周围及表面不存在覆盖层,解决传统覆膜和塑封体结合性不好而分层的问题。

    传感器封装方法和传感器封装结构

    公开(公告)号:CN118099179A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410501583.X

    申请日:2024-04-25

    发明人: 何正鸿 李利

    IPC分类号: H01L27/146

    摘要: 本发明提供的一种传感器封装方法和传感器封装结构,涉及传感器封装技术领域。该传感器封装方法包括:提供设有感光芯片的第一基板;在第一基板上贴装第二基板。第二基板包括相连的围挡部和盖设部,围挡部贴于第一基板,且感光芯片位于围挡部形成的围框内;盖设部位于围挡部远离第一基板的一侧。在第一基板上形成塑封体,塑封体位于围框外。在形成塑封体的步骤之前或之后,去除盖设部;在围挡部上形成第一胶层;在第一胶层上贴透光板;透光板、围挡部和第一基板将感光芯片围在密闭空间内。该方法有利于提高传感器的封装质量,工艺更简单,避免激光开槽带来的不利影响。

    一种声表面波滤波芯片的封装结构及封装方法

    公开(公告)号:CN111525907B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202010361967.8

    申请日:2020-04-30

    发明人: 庞宏林 钟磊 李利

    IPC分类号: H03H9/25 H03H9/64

    摘要: 一种声表面波滤波芯片的封装结构及封装方法,涉及半导体封装技术领域,包括基板,基板上表面设置有凹槽,凹槽上方倒装设置声表面波滤波芯片,声表面波滤波芯片的外缘与凹槽的边缘搭接,芯片与凹槽之间用于形成声腔,在设置有声表面波滤波芯片的基板表面覆设喷胶层。该声表面波滤波芯片的封装结构及封装方法能够采用喷洒胶工艺进行封装,显著地提高封装效率。

    芯片封装方法和封装结构

    公开(公告)号:CN117792320A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202410199690.1

    申请日:2024-02-23

    发明人: 徐玉鹏 何正鸿

    IPC分类号: H03H3/08 H03H9/10 H03H9/64

    摘要: 本申请提供的一种芯片封装方法和封装结构,涉及半导体封装技术领域。该芯片封装方法包括提供基板。基板上设有第一焊盘和第二焊盘。在基板上贴装第一芯片和第二芯片;第一芯片电连接于第一焊盘,第二芯片电连接于第二焊盘。在基板上铺设覆膜。在覆膜上形成开口,开口露出第二芯片,或者,开口位于第二芯片的周围。在基板上形成塑封体,塑封体被覆膜隔离,以在第一芯片和基板之间形成第一空腔;塑封体从开口进入并填充第二芯片和基板之间的第二空腔。该方法能避免传统工艺利用塑封方式冲破覆膜导致第二芯片底部有残留覆膜的问题,进而引起填充性不良等现象,该方法有利于提高封装质量和结构可靠性。