发明授权
- 专利标题： 磁阻式随机存取存储器的布局图案
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申请号： CN201911279907.5申请日： 2019-12-13
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公开(公告)号： CN112992965B公开(公告)日： 2023-08-15
- 发明人: 吴奕廷 , 陈健中 , 杨伯钧 , 吴祯祥 , 谢咏净 , 李柏昌 , 王荏滺 , 黄正同
- 申请人： 联华电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陈小雯
- 主分类号： H10B61/00
- IPC分类号： H10B61/00 ; H10N50/10
摘要：
本发明公开一种磁阻式随机存取存储器的布局图案，其主要包含一第一磁隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)图案设于一基底上、一第二MTJ图案设于该第一MTJ图案旁以及一第三MTJ图案设于该第一MTJ图案以及该第二MTJ图案之间，其中该第一MTJ图案、该第二MTJ图案以及该第三MTJ图案是交错排列。
公开/授权文献
- CN112992965A 磁阻式随机存取存储器的布局图案 公开/授权日：2021-06-18
