发明公开
- 专利标题： 一种SE扩散方法及得到的硅片
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申请号： CN201911329361.X申请日： 2019-12-20
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公开(公告)号： CN113013284A公开(公告)日： 2021-06-22
- 发明人: 刘娜 , 陈瑶 , 刘运宇 , 邓伟伟
- 申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
- 申请人地址： 江苏省苏州市高新区鹿山路199号;
- 专利权人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,阿特斯阳光电力集团股份有限公司
- 当前专利权人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,阿特斯阳光电力集团股份有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市高新区鹿山路199号;
- 代理机构： 北京品源专利代理有限公司
- 代理商 巩克栋
- 主分类号： H01L31/18
- IPC分类号： H01L31/18 ; C30B31/06
摘要：
本发明公开了一种SE扩散方法及得到的硅片，涉及太阳能电池技术领域。所述方法包括降温沉积的步骤：在降温的过程中通入磷源，生长PSG层。本发明的SE扩散工艺，通过降温过程补磷源的方式，可有效增加PSG中的P浓度，激光掺杂之后能够形成良好的重掺区，解决了高方阻选择性发射电极电池欧姆接触不良的问题，有利于高方阻电池的制备，提高电池开压和电流，进而提高电池效率。
公开/授权文献
- CN113013284B 一种SE扩散方法及得到的硅片 公开/授权日：2022-07-29