公开(公告)号：CN118307187B

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410426544.8

申请日：2024-04-10

申请人： 江苏大煦朗宁新材料科技有限公司

发明人： 胡文菊 ,  翟亮 ,  许金华

IPC分类号： C03B23/047 ,  C03B23/045 ,  C03B15/14 ,  H01L31/18 ,  C30B31/06

公开(公告)号：CN112176414B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202010617597.X

申请日：2020-06-30

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 曲伟峰 ,  井川静男 ,  砂川健

IPC分类号： C30B33/02 ,  C30B31/06 ,  C30B29/06 ,  H01L21/324

摘要： 本发明提供一种碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，该方法具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；及以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序，通过所述第一及第二RTA处理，对所述单晶硅晶圆注入空位并同时掺杂碳，将由所述单晶硅的表面至深0.1μm的范围内的碳浓度设为1×1017atoms/cm3以上。由此，提供一种通过使单晶硅晶圆的表层的碳浓度为高浓度，且使表面的碳浓度分布均匀，从而能够提高晶圆强度的碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法。

公开(公告)号：CN117431637B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311753075.2

申请日：2023-12-20

申请人： 无锡松煜科技有限公司

发明人： 陈庆敏 ,  郁世杰 ,  李丙科

IPC分类号： C30B31/16 ,  C30B29/06 ,  C30B31/06 ,  B01D45/04 ,  H01L31/18 ,  H01L21/223

摘要： 本发明属于光伏电池制造技术领域，尤其涉及一种硼扩散装置及其使用方法。本发明包括：封闭框架，用于封闭所述工作台；进气管，安装在所述封闭框架上，且所述进气管的内端与所述封闭框架内部呈气体连通状态；导气板，设置在所述进气管上，且用于将所述进气管流出的气体向侧向引导；筛板，设置在所述进气管的内端上；所述筛板上设有若干分散孔，所述分散孔倾斜设置，且倾斜方向与所述导气板的气体引导方向一致。通过封闭框架将工作台的四周封闭，在封闭框架多点安装与风机连接的进气管，并且在进气管的内端设置导风组件，使吹向工作台的风尽可能弥散，避免了风量集中在一点，产生的风速导致扬尘效应。

公开(公告)号：CN114959906B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202210576978.7

申请日：2022-05-25

申请人： 江苏龙恒新能源有限公司

发明人： 任军林 ,  吴疆 ,  湾贺龙

IPC分类号： C30B31/06 ,  H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种太阳能电池扩散炉，包括炉体，所述炉体的一壁内部开设有调节室，所述调节室的壁上开设有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔连通所述调节室与所述炉体内腔，所述第二通孔连通所述调节室与炉体外部；所述调节室内设置有能够连通和阻断所述第一通孔第二通孔的阀门组件。本发明提供的一种太阳能电池扩散炉能够根据炉内温度自动调节散热风口的大小，从而维持炉内工作温度相对恒定，提高工作效率。

公开(公告)号：CN116623297B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310913098.9

申请日：2023-07-25

申请人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 ,  青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司

发明人： 郭超 ,  黄秀松 ,  母凤文

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B28/14 ,  C30B31/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/18

摘要： 本发明提供一种碳化硅复合衬底及其制备方法和应用，属于半导体技术领域，所述碳化硅复合衬底包括支撑层和与支撑层键合连接的单晶碳化硅薄层；所述支撑层为含有游离C相的多晶碳化硅层。本发明提出了一种碳化硅复合衬底，包括单晶碳化硅薄层，以及含有游离C相的多晶碳化硅支撑层，该支撑层的电阻率低于0.01Ω∙cm，并且支撑层和单晶碳化硅薄层键合连接，二者相互配合，使得构建的碳化硅复合衬底具有较低的电阻率，制造成本低，有利于批量化生产，可广泛应用于新能源、光伏等领域的半导体器件制造。

公开(公告)号：CN114808135B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202210527345.7

申请日：2022-05-16

申请人： 合肥天曜新材料科技有限公司

发明人： 庞昊 ,  谢雨凌

IPC分类号： C30B29/48 ,  C30B31/06 ,  C30B31/12 ,  C30B31/20

摘要： 本发明涉及晶锭生产技术领域，特别涉及一种具有梯度电阻的CZT晶锭生产方法，通过间隔一定的距离设置激光器加热或者环形加热器，使得晶体形成不同的温度区，激光器加热或者环形加热器作用到的区域温度高，铟的掺杂浓度也较其他区域高，从而电阻也高，从而形成…高阻‑低阻‑高阻…型的晶锭结构，可以将晶锭按照需要切割成所需尺寸的晶片，两侧是高阻区域，中间是低阻区域，形成一个三明治结构，电极位于两个或一个高阻区外侧，这种结构可以保证低漏电流的同时，提高中心区域载流子的迁移能力，从而增强了探测能力。

公开(公告)号：CN114808135A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210527345.7

申请日：2022-05-16

申请人： 合肥天曜新材料科技有限公司

发明人： 庞昊 ,  谢雨凌

IPC分类号： C30B29/48 ,  C30B31/06 ,  C30B31/12 ,  C30B31/20

摘要： 本发明涉及晶锭生产技术领域，特别涉及一种具有梯度电阻的CZT晶锭生产方法，通过间隔一定的距离设置激光器加热或者环形加热器，使得晶体形成不同的温度区，激光器加热或者环形加热器作用到的区域温度高，铟的掺杂浓度也较其他区域高，从而电阻也高，从而形成…高阻‑低阻‑高阻…型的晶锭结构，可以将晶锭按照需要切割成所需尺寸的晶片，两侧是高阻区域，中间是低阻区域，形成一个三明治结构，电极位于两个或一个高阻区外侧，这种结构可以保证低漏电流的同时，提高中心区域载流子的迁移能力，从而增强了探测能力。

公开(公告)号：CN114606573A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210053500.6

申请日：2022-01-21

申请人： 济南晶硕电子有限公司

发明人： 郭光辉

IPC分类号： C30B31/06 ,  C30B29/06 ,  C30B31/16 ,  C30B33/00 ,  C30B33/10 ,  H01L21/22 ,  H01L21/225

摘要： 本发明公开了一种环保硼扩散源配方，包括以下重量份数配比的原料：乙二醇乙醚；三氧化二硼；硝酸铝和氧化铝，取三氧化二硼和乙二醇乙醚制备三氧化二硼/乙二醇乙醚溶液，硝酸铝和乙二醇乙醚制备硝酸铝/乙二醇乙醚溶液，取三氧化二硼/乙二醇乙醚溶液和硝酸铝/乙二醇乙醚溶液和氧化铝粉制备硼扩散液态源。该环保硼扩散源配方，通过将硅片依次经过表面腐蚀、表面氧化、干燥和抛光工序，将硅片放入氢氟酸/硝酸/水混合液体系的刻蚀溶液中反应再将硅片放入碱溶液中常温下反应，使得硅片在扩散后的表面浓度较高，解决硼扩散后由于二氧化硅吸硼作用造成的表面浓度低的问题，使得硅片在硼扩散后的均匀性较好，不会出现单一处硼扩散源较低的问题。

公开(公告)号：CN110699752B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201911043221.6

申请日：2019-10-30

申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司

发明人： 卓世异 ,  刘学超 ,  严成锋 ,  施尔畏

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  C30B31/06

摘要： 本发明涉及分步生长弱磁性Fe‑V共掺杂SiC晶体的方法，所述方法包括：（1）将高纯SiC晶体块、Fe粉和V粉混合后置于坩埚底部作为晶料，并在所述晶料表面平铺一层碳化硅粉体，再以6H‑SiC晶片作为籽晶，采用物理气相运输法开始晶体生长，得到过量Fe‑V共掺杂SiC晶体，所述Fe粉和V粉的加入量＞Fe和V在SiC晶体中室温下的固溶度；（2）将所得过量Fe‑V共掺杂SiC晶体切块处理后置于坩埚底部，以6H‑SiC晶片作为籽晶，采用物理气相运输法开始二次生长，得到所述弱磁性Fe‑V共掺杂碳化硅晶体。

公开(公告)号：CN113981536A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202110848283.5

申请日：2021-07-27

申请人： 环球晶圆股份有限公司

发明人： 林钦山

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B31/06 ,  C30B23/00

摘要： 本发明提供一种碳化硅晶碇及其制备方法，所述碳化硅晶碇包括种晶端以及与所述种晶端相对的圆顶端。于碳化硅晶碇中，种晶端的钒浓度与氮浓度的比例为5:1至11:1的范围之间，且圆顶端的钒浓度与氮浓度的比例为2:1至11:1的范围之间。