发明授权
- 专利标题: 电容耦合式电平移位器
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申请号: CN202110219334.8申请日: 2018-11-14
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公开(公告)号: CN113037273B公开(公告)日: 2022-04-05
- 发明人: S·夏尔马 , M·詹代利亚 , D·M·金策 , T·普尔巴里奇
- 申请人: 纳维达斯半导体有限公司
- 申请人地址: 爱尔兰都柏林
- 专利权人: 纳维达斯半导体有限公司
- 当前专利权人: 纳维达斯半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 爱尔兰都柏林
- 代理机构: 北京市汉坤律师事务所
- 代理商 魏小薇; 吴丽丽
- 优先权: 15/814,317 20171115 US
- 主分类号: H03K19/0185
- IPC分类号: H03K19/0185 ; H03K19/0175
摘要:
本申请涉及一种电容耦合式电平移位器。公开了一种半桥式GaN电路。所述电路包含:低侧电源开关,其经配置以根据一或多个输入信号而选择性地导电;高侧电源开关,其经配置以根据所述一或多个输入信号而选择性地导电;和高侧电源开关控制器,其经配置以基于所述一或多个输入信号而控制所述高侧电源开关的导电性。所述高侧电源开关控制器包含电容器和逻辑电路,其中所述电容器经配置以将基于所述输入信号的信号电容性耦合到所述逻辑电路,且所述逻辑电路经配置以基于所述电容耦合式信号而控制所述高侧电源开关的导电性。
公开/授权文献
- CN113037273A 电容耦合式电平移位器 公开/授权日:2021-06-25
IPC分类: