- 专利标题: 一种等离子体处理装置及其气体喷嘴、气体喷嘴组件
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申请号: CN201911368559.9申请日: 2019-12-26
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公开(公告)号: CN113053712B公开(公告)日: 2023-12-01
- 发明人: 龚岳俊
- 申请人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 专利权人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 薛晨光
- 主分类号: H01J37/32
- IPC分类号: H01J37/32
摘要:
本发明公开一种等离子体处理装置及其气体喷嘴、气体喷嘴组件,该气体喷嘴的本体具有喷嘴内腔及向处理装置的处理腔内输送工艺气体的喷气孔,所述喷嘴内腔包括进气分布腔和出气缓冲腔;所述进气分布腔和出气缓冲腔的容积V≤1/4V1,其中,V1为所述气体喷嘴的本体体积。本方案基于气体喷嘴的结构改进,可规避喷嘴腔内的等离子体点燃风险,有效提升安全可靠性。
公开/授权文献
- CN113053712A 一种等离子体处理装置及其气体喷嘴、气体喷嘴组件 公开/授权日:2021-06-29