- 专利标题: 一种电子束制备高硅铝硅合金涂层的工艺方法
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申请号: CN202110301701.9申请日: 2021-03-22
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公开(公告)号: CN113059158B公开(公告)日: 2022-04-12
- 发明人: 高波 , 张莹 , 孙悦 , 刘状 , 尹俊太 , 李魁 , 付海洋
- 申请人: 东北大学
- 申请人地址: 辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号
- 专利权人: 东北大学
- 当前专利权人: 东北大学
- 当前专利权人地址: 辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号
- 代理机构: 大连理工大学专利中心
- 代理商 陈玲玉
- 主分类号: B22F7/04
- IPC分类号: B22F7/04 ; C22C21/02 ; B22F1/10 ; B22F3/105
摘要:
本发明公开了一种电子束制备高硅铝硅合金涂层的工艺方法,包括以下工艺步骤:(1)混粉:按照原料的配比将Al粉、Si粉、稀土氧化物粉末放入混粉机中进行混粉;(2)表面预处理:将混粉后的混合粉末摻入胶黏剂,并将其涂抹在抛光后的铝块上;(3)电子束表面改性:将表面预处理后的铝块置于6×10‑3Pa的真空条件下,对其表面进行电子束处理,获得产品。本发明方法工艺操作简单,绿色环保,本发明将电子束与粉末冶金工艺技术结合,解决了传统熔炼法制备的高硅铝硅合金经电子束产生的微裂纹无法用稀土消除的问题。由于粉末冶金工艺制备的合金初生硅尺寸可控,可实现初生硅的细化,进而充分发挥了稀土消除电子束处理后产生的微裂纹和熔坑的作用。
公开/授权文献
- CN113059158A 一种电子束制备高硅铝硅合金涂层的工艺方法 公开/授权日:2021-07-02