发明公开
- 专利标题: 一种硅基键合石墨烯(CBG)陶瓷散热器一体化结构
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申请号: CN202110516152.7申请日: 2021-05-12
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公开(公告)号: CN113078129A公开(公告)日: 2021-07-06
- 发明人: 阮诗伦 , 张光辉 , 孙秀洁 , 吴昕哲 , 杨华龙 , 梁晓颖 , 李朝阳
- 申请人: 郑州大工高新科技有限公司 , 大连理工大学
- 申请人地址: 河南省郑州市自贸试验区郑州片区(经开)第二大街58号兴华大厦2号楼102号;
- 专利权人: 郑州大工高新科技有限公司,大连理工大学
- 当前专利权人: 郑州大工高新科技有限公司,大连理工大学
- 当前专利权人地址: 河南省郑州市自贸试验区郑州片区(经开)第二大街58号兴华大厦2号楼102号;
- 代理机构: 郑州浩德知识产权代理事务所
- 代理商 柏琼琼
- 主分类号: H01L23/373
- IPC分类号: H01L23/373 ; H01L23/367
摘要:
本发明涉及大功率的电子元器件散热领域的技术领域,尤其是一种硅基键合石墨烯(CBG)陶瓷散热器一体化结构,包括从上到下依次设置的大功率半导体芯片、锡焊层、铜金属线路和硅基键合石墨烯(CBG)陶瓷散热器,所述的硅基键合石墨烯(CBG)陶瓷散热器包括陶瓷散热器以及所述的陶瓷散热器表面设有的一层硅基键合石墨烯(CBG)涂层,本发明减少了常规封装结构中间的铜散热基板、导热凝胶结构,降低了热阻,同时再加上硅基键合石墨烯(CBG)涂层的优良的导热散热能力以及与陶瓷散热器间优良的结合性能,可以大大提高半导体功率电子器件的散热性能。
IPC分类: