- 专利标题: 一种金属离子掺杂的阳极氧化钛纳米管的制备方法
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申请号: CN202110261589.0申请日: 2021-03-10
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公开(公告)号: CN113096968B公开(公告)日: 2022-09-20
- 发明人: 宋晔 , 刘倩倩 , 余袁田 , 王恒 , 王奇 , 倪逸琳 , 朱绪飞
- 申请人: 南京理工大学
- 申请人地址: 江苏省南京市玄武区孝陵卫200号
- 专利权人: 南京理工大学
- 当前专利权人: 南京理工大学
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市玄武区孝陵卫200号
- 代理机构: 南京理工大学专利中心
- 代理商 邹伟红
- 主分类号: H01G11/46
- IPC分类号: H01G11/46 ; H01G11/30 ; H01G11/24 ; H01G11/86 ; C25D11/26
摘要:
本发明公开了一种金属离子掺杂的阳极氧化钛纳米管的制备方法。通过恒流或恒压阳极氧化制备二氧化钛纳米管阵列膜,然后将制备的阳极氧化钛纳米管和低熔点金属一起进行退火处理,使二氧化钛纳米管阵列膜在退火的过程中处在低熔点金属熔体中,可以实现金属离子对二氧化钛纳米管的金属掺杂。采用本发明所述方法,阳极氧化膜与基底的结合力好,操作简便,在退火过程中实现金属离子掺杂且退火处理完成后阳极氧化膜和低熔点金属易于分离,此外,经过金属离子掺杂的阳极氧化钛纳米管阵列膜电极表现出优异的超级电容器性能。
公开/授权文献
- CN113096968A 一种金属离子掺杂的阳极氧化钛纳米管的制备方法 公开/授权日:2021-07-09