本发明公开一种采用PVT法制备碳化硅单晶的生长装置，涉及碳化硅单晶的制备及晶体生长技术领域，包括密封腔、加热结构、保温结构、测温机构、旋转机构和升降机构；保温结构设于密封腔内；加热结构设于保温结构内，测温机构设于密封腔上；坩埚设于保温结构内，籽晶托设于坩埚内；旋转机构用于驱动坩埚的旋转，升降机构用于驱动坩埚的升降，或，所述旋转机构用于驱动所述籽晶托的旋转，所述升降机构用于驱动所述籽晶托的升降。加热结构能实现对坩埚的底部、四周和顶部的分别加热，并能够通过调整单个加热电阻的功率实现径向温度梯度和轴向温度梯度的调节，使坩埚周围的径向温度梯度和轴向温度梯度处于最合适的状态，能更好的促进晶体的生长。