本发明公开了预测器件重离子单粒子效应截面曲线的方法，包括以下步骤：对器件开展质子或中子单粒子效应实验，获取质子或中子单粒子效应截面数据并威布尔拟合得到质子或中子单粒子效应截面曲线；构建芯片结构模型，蒙卡计算不同能量质子或中子与器件材料发生核反应在灵敏层内产生的次级粒子LET谱；估算两个重离子单粒子效应截面数据点并初步拟合一条重离子单粒子效应截面曲线；将该重离子单粒子效应截面曲线与次级粒子LET谱积分，得到器件的质子或中子单粒子效应截面；比对积分计算数据与实验数据，调整重离子单粒子效应截面曲线(56)对比文件杜雪成 等.28nm Xilinx Zynq-7000系统芯片单粒子效应研究进展.现代应用物理.2017,第8卷(第2期),第1-6页.