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公开(公告)号：CN114818566B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202210588208.4
申请日：2022-05-26
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G06F30/3308
摘要： 本发明为解决现有单粒子效应电路仿真方法不适用于监测任意位置、任意时刻的阱电势扰动或阱电势调制的技术问题，提供了一种单粒子效应引发阱电势调制的建模方法。具体包括以下步骤：1)确定待分析工艺对应的阱电阻表达式及参数取值；2)计算条带型阱接触布局对应的阱间电流源；3)提取对应工艺电路版图中的待分析最小独立单元；4)依据步骤1)、步骤2)计算得到的待分析工艺对应的特征信息，针对步骤3)提取得到的待分析最小独立单元，计算给定阱接触布局和入射位置情况下的阱间电流源；5)选定任意位置，计算得到单粒子效应引发阱电势调制随时间的变化关系。
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公开(公告)号：CN113158602B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110460172.7
申请日：2021-04-27
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G06F30/3308
摘要： 本发明提供一种针对不同倾角入射的单粒子瞬态电流源建模方法，解决传统电流源建模方法在推广到倾角入射情形时参数提取复杂、注入电荷总量估计不准确的问题。该方法综合考虑了入射位置、入射角度和有源区形状大小，能够更加合理准确的研究电路的单粒子效应并且预测其抗辐照能力。其包括：步骤一、获取待研究器件的版图；步骤二、确定离子在材料中的线性能量传输值，设定需要评估的离子在版图上的入射位置和入射方位角；步骤三、提取版图中的敏感节点轮廓，记录其在版图上的坐标；步骤四、获取不同倾角入射情况下的单粒子瞬态电流；步骤五、调用计算得到的单粒子瞬态电流，执行电路级仿真计算得到敏感节点的电压波形，并分析辐射效应结果。
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公开(公告)号：CN112395823B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202011286350.0
申请日：2020-11-17
IPC分类号： G06F30/398 , H01L27/02 , G06F119/02
摘要： 本发明属于半导体集成电路领域，涉及一种标准单元抗单粒子效应加固的方法。甄别标准单元库中所有标准单元版图文件中的晶体管共源极连接、独立源漏连接方式，将其替换成共漏极连接方式；将标准单元库中高驱动能力单元内部两个较低驱动能力子模块用驱动能力相当的两个子模块替换；还可增加所有标准单元阱接触与第一层金属之间的金属接触孔数目。本发明有效地减小了标准单元敏感反偏漏极面积，增加了高驱动能力单元内部子模块的稳定性，缓解了由电荷共享引起的标准单元金属线上的电压降，能有效地对标准单元库单元进行抗单粒子效应加固。
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公开(公告)号：CN109917263B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201910244195.7
申请日：2019-03-28
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 为减少试验人员的负担，实现在低通量环境下对器件多种单粒子效应进行长时间测量，本发明提供了一种无人值守半导体器件单粒子效应测量方法。测量系统包括辐照板、测试板、通信模块、故障诊断及复位模块、远程计算机以及主电源和不间断电源；辐照板用于设置待测半导体器件；测试板与辐照板相连；测试板用于测量、记录、发送单粒子效应数据；测试板中配置有内存卡；故障诊断及复位模块用于对系统进行定时自检及开机自检，并能在监测到故障后，通过重新上电的方式对系统进行复位；监测到系统从断电中恢复供电后，读取内存卡中的配置数据重新配置测试系统，使其继续断电前的测试工作；远程计算机用于对测试板和辐照板进行远程监控。
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公开(公告)号：CN113109860A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110381221.8
申请日：2021-04-08
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G01T1/36
摘要： 本发明公开了预测器件重离子单粒子效应截面曲线的方法，包括以下步骤：对器件开展质子或中子单粒子效应实验，获取质子或中子单粒子效应截面数据并威布尔拟合得到质子或中子单粒子效应截面曲线；构建芯片结构模型，蒙卡计算不同能量质子或中子与器件材料发生核反应在灵敏层内产生的次级粒子LET谱；估算两个重离子单粒子效应截面数据点并初步拟合一条重离子单粒子效应截面曲线；将该重离子单粒子效应截面曲线与次级粒子LET谱积分，得到器件的质子或中子单粒子效应截面；比对积分计算数据与实验数据，调整重离子单粒子效应截面曲线的拟合参数，重复积分直到计算数据与实验数据的偏差在一定范围内，即得所需重离子单粒子效应截面曲线。
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公开(公告)号：CN112395823A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011286350.0
申请日：2020-11-17
IPC分类号： G06F30/398 , H01L27/02 , G06F119/02
摘要： 本发明属于半导体集成电路领域，涉及一种标准单元抗单粒子效应加固的方法。甄别标准单元库中所有标准单元版图文件中的晶体管共源极连接、独立源漏连接方式，将其替换成共漏极连接方式；将标准单元库中高驱动能力单元内部两个较低驱动能力子模块用驱动能力相当的两个子模块替换；还可增加所有标准单元阱接触与第一层金属之间的金属接触孔数目。本发明有效地减小了标准单元敏感反偏漏极面积，增加了高驱动能力单元内部子模块的稳定性，缓解了由电荷共享引起的标准单元金属线上的电压降，能有效地对标准单元库单元进行抗单粒子效应加固。
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公开(公告)号：CN106405385B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610793863.8
申请日：2016-08-31
IPC分类号： G01R31/317
摘要： 本发明涉及一种基于触发器链的逻辑电路单粒子效应测试方法。包括一下步骤：1】基于某个工艺节点设计多级数触发器链；2】对触发器链进行版图设计，再进行版图寄生参数提取；3】利用某个重离子LET值的辐射源进行单粒子效应实验；4】通过时钟信号得到触发器主从锁存器的单粒子翻转截面比值∈；5】通过下列公式计算不同频率下的触发器单粒子翻转的时间敏感因子TVF；6】通过步骤3】和步骤5】得到多级触发器链中组合逻辑单元单粒子瞬态引起的软错误截面；然后对实验结果进行线性拟合。本发明提供了一种准确评估基于触发器链的逻辑电路的单粒子效应的测试方法。
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公开(公告)号：CN107145638A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710236454.2
申请日：2017-04-12
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5009
摘要： 本发明提供了一种低能质子直接电离导致的单粒子翻转截面获取方法，包括步骤：建立被研究半导体存储器件的器件模型；获取器件模型的蝴蝶特性曲线；对器件模型的蝴蝶特性曲线进行校准；在半导体器件数值计算模型中添加重离子单粒子效应物理模型；设定重离子单粒子效应物理模型参数的抽样方式；获取不同LET值和不同入射角度的重离子导致的单粒子翻转截面；计算器件模型的单粒子效应敏感体积参数；构建被研究半导体存储器件的几何结构模型；设定低能质子源的抽样方式；获取不同能量的低能质子单粒子翻转截面。本发明提高了敏感体积参数的获取效率，具有成本低、计算效率高、可执行性好等优点。
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公开(公告)号：CN105679658A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610065541.1
申请日：2016-01-29
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H01L21/263 , G01R31/26
CPC分类号： H01L21/263 , G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种CMOS器件抗单粒子闭锁的加固方法，对CMOS器件进行中子辐照，通过中子辐照引入位移损伤,使器件CMOS反相器内部寄生双极晶体管的电流增益降低到不致发生P-N-P-N闭锁，该加固方法是一种外部加固方法，不增加生产器件的工艺步骤，不用针对单粒子闭锁效应重新设计器件版图，不增加原有系统的复杂性。因此，不会改变器件的固有尺寸，也不会增加外围电路。
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公开(公告)号：CN105070669A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510413204.2
申请日：2015-07-14
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L22/30
摘要： 本发明涉及一种逻辑门电路及CMOS数字电路总剂量效应敏感性的分析方法，包括1)列举待分析逻辑门电路在辐照过程中的工作状态，列举待分析逻辑门电路在测试过程中的工作状态，将两种过程中的工作状态进行排列组合形成多组输入信号组合，2)将组成分析逻辑门电路的pMOS管组合的具体结构和nMOS管组合的具体结构进行简化并等效为反相器的结构形式；3)计算各反相器的电导，最小的等效pMOS管电导和最大的等效nMOS管电导组合将对应着最强的总剂量敏感性。本发明能够快速甄别出电路中的总剂量效应敏感节点的方法，实现了在设计阶段对于电路中总剂量效应敏感节点的甄别，进而可用于指导加固设计，极大地节约了版图面积。
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