- 专利标题： 一种高ZT值纯SnSe多晶块体热电材料的制备方法
-
申请号： CN202110281765.7申请日： 2021-03-16
-
公开(公告)号： CN113113531B公开(公告)日： 2023-09-08
- 发明人: 罗贤 , 黄搏威 , 杨延清
- 申请人： 西北工业大学
- 申请人地址： 陕西省西安市友谊西路127号
- 专利权人： 西北工业大学
- 当前专利权人： 西北工业大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市友谊西路127号
- 代理机构： 西安凯多思知识产权代理事务所
- 代理商 高凌君
- 主分类号： H10N10/852
- IPC分类号： H10N10/852 ; H10N10/01
摘要：
本发明提供了一种高ZT值纯SnSe多晶块体热电材料的制备方法，解决现有工艺制备的SnSe多晶块体存在热‑电性能较差的问题。该制备方法包括以下步骤：1)单质粉末的常温冷压成型；2)高温熔融反应；3)高能球磨；4)真空热压烧结。
公开/授权文献
- CN113113531A 一种高ZT值纯SnSe多晶块体热电材料的制备方法 公开/授权日：2021-07-13
