本发明涉及一种用于芯片互连的电镀钴镀液，属于电子制造技术领域。本发明的一种用于芯片互连的电镀钴镀液中各组分及电镀条件如下：主盐(以钴含量计)5‑20g/L、稳定剂1‑50g/L、缓冲剂10‑30g/L、晶粒细化剂1‑500mg/L、表面活性剂0.1‑1g/L、整平剂0.1‑1g/L、pH 3‑6、电流密度0.1‑3A/dm2、施镀温度50‑70℃。利用本发明公开的镀液所沉积的钴金属可以替代铜金属成为10nm以下芯片制程的互连材料，对微纳沟槽和微孔有良好的填充能力，有利于降低后段制程的寄生效应，提高芯片的可靠性。