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公开(公告)号：CN113106507A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110402994.X
申请日：2021-04-15
申请人： 电子科技大学 , 珠海方正科技高密电子有限公司
摘要： 本发明涉及一种用于微纳沟槽和盲孔填充的电镀钌镀液，属于电子制造技术领域。本发明所提出的一种用于微纳沟槽和盲孔填充的电镀钌镀液中各组分及电镀条件如下：基础电镀液(以钌含量计)2‑10g/L；添加剂A 1‑100mL/L；添加剂B 1‑100mL/L；pH 0.5‑3；电流密度0.1‑2A/dm2；温度50‑80℃；所述基础电镀液由主盐、稳定剂和加速剂组成，所述主盐为钌的可溶性无机酸盐；所述添加剂A为硫酸铈(IV)和表面活性剂混合制成的浓缩液；所述添加剂B包括多巴胺和乙酰丙酮，所述添加剂B还包括还原性物质和吡啶类化合物中的一种或几种。利用本发明公开的镀液所沉积的钌金属可以替代大规模集成电路制造中电镀铜填充微纳沟槽和盲孔所存在的缺陷，有利于提升器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN114351194B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202210100723.3
申请日：2022-01-27
申请人： 电子科技大学 , 珠海方正科技高密电子有限公司
摘要： 一种印制电路通孔电镀铜的镀液及工艺，属于电镀添加剂技术领域。所述镀液包括五水硫酸铜、浓硫酸、盐酸、第一类添加剂和第二类添加剂。本发明在印制电路通孔电镀铜中仅使用两类添加剂，简化了通孔电镀铜添加剂配方，优化了添加剂体系；采用本发明镀液电镀得到的镀铜层表面光滑致密，通孔孔面平整，无狗骨现象，具有良好的镀孔效果。
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公开(公告)号：CN115810595A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211602217.0
申请日：2022-12-13
申请人： 电子科技大学 , 珠海方正科技高密电子有限公司
IPC分类号： H01L23/427 , H01L23/473 , H01L23/373 , H01L21/48
摘要： 本发明属于电子制造技术领域，具体提供一种埋嵌高效散热部件的封装基板结构及其制造方法，用于解决芯片或高功率器件散热问题。本发明可在芯片封装的正/背面同时设计微流道，通过膨胀石墨/石蜡/结晶水组成的复合相变材料的相态变化吸收芯片在高强度工作时所积累的热量来延长芯片的寿命，有效降低封装风险，减低制造成本；复合相变材料外接金属基散热基板通过“吸收热”到“传递热”、再到“热散发”步骤实现芯片降温，进而攻克电子行业芯片散热的痛点；并且，复合相变材料制备工艺成熟且简捷，原料成本低廉。由此可见，本发明相比于现行微流道散热技术工艺流程更简单，应用环境更全面，能够弥补现有的传统制冷技术的缺陷。
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公开(公告)号：CN113956479B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202111425185.7
申请日：2021-11-26
申请人： 电子科技大学 , 珠海方正科技高密电子有限公司
IPC分类号： C08G75/14 , C07C319/12 , C07C323/66 , C07F1/08 , C25D3/38
摘要： 本发明提供一种电镀铜加速剂及合成方法和应用，电镀铜加速剂合成方法包括步骤：步骤一：称取巯基丙烷磺酸化合物0.005mol，溶解在45mL浓度为20％到30％的稀硫酸溶液中；步骤二：称取一价铜盐0.005mol，加入步骤一所述溶液中，超声处理；步骤三：称取二价铜盐0.005mol，加入步骤二所述溶液中，振荡后超声处理1‑5h，得到白色沉淀悬浊液；步骤四：将该悬浊液过滤、洗涤，真空干燥，得白色固体，即为电镀铜加速剂A。本发明电镀铜加速剂A用于减缓电镀铜镀液中副产物的积累，防止镀液老化，减少镀层结瘤，减少填孔能力差现象的产生。
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公开(公告)号：CN113543463A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110800002.9
申请日：2021-07-15
申请人： 电子科技大学 , 珠海方正科技高密电子有限公司
摘要： 本发明涉及一种具有三维线路的高密度印制电路板，属于电路板技术领域。本发明提供的一种高密度印制电路板，在阶梯槽槽壁及阶梯处实现三维布线，同时所述的槽孔内的布线可设计成多个分割层，将同一条线路分成多个信号层，与内外层线路互连互通。所述槽孔可直接插元器件或设备，无需要锡膏贴装焊接，槽孔内线路表面电镀镍金，防止槽孔内线路氧化腐蚀，更便于元器件或设备的刚性拔插。此外，本发明适应异形互连加工，可实现印制电路板阶梯结构的三维布线，提升整板的布线密度，且减少图形转移过程中铜蚀刻污水的排放，绿色环保。
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公开(公告)号：CN113956479A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111425185.7
申请日：2021-11-26
申请人： 电子科技大学 , 珠海方正科技高密电子有限公司
IPC分类号： C08G75/14 , C07C319/12 , C07C323/66 , C07F1/08 , C25D3/38
摘要： 本发明提供一种电镀铜加速剂及合成方法和应用，电镀铜加速剂合成方法包括步骤：步骤一：称取巯基丙烷磺酸化合物0.005mol，溶解在45mL浓度为20％到30％的稀硫酸溶液中；步骤二：称取一价铜盐0.005mol，加入步骤一所述溶液中，超声处理；步骤三：称取二价铜盐0.005mol，加入步骤二所述溶液中，振荡后超声处理1‑5h，得到白色沉淀悬浊液；步骤四：将该悬浊液过滤、洗涤，真空干燥，得白色固体，即为电镀铜加速剂A。本发明电镀铜加速剂A用于减缓电镀铜镀液中副产物的积累，防止镀液老化，减少镀层结瘤，减少填孔能力差现象的产生。
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公开(公告)号：CN113692141A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110984113.X
申请日：2021-08-25
申请人： 电子科技大学 , 珠海方正科技高密电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种印制电路孔互连结构及其制作方法，所述孔互连结构由第一子板、半固化片孔、芯板孔、半固化片孔、第二子板孔连接形成，第一子板孔和第二子板孔的孔径，大于半固化片孔和芯板孔的孔径。阶梯孔中只有第一子板孔、第二子板孔的孔内有金属化铜层。所述制作方法包括如下步骤：制作第一子板和第二子板，并分别在预设位置钻通孔；再通过热压的方式进行压合，形成母板；在第一、第二子板的通孔孔内进行第一次钻通孔，获得阶梯孔；孔金属化后在阶梯孔内进行第二次钻通孔，即可得到本发明中的孔互连结构。本发明用钻刀进行钻孔以断开内层不需要信号通过的小孔，通过此方法能够减小信号损失，提高信号传输质量。
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公开(公告)号：CN114561675B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202210323016.0
申请日：2022-03-29
申请人： 电子科技大学 , 珠海方正科技高密电子有限公司
摘要： 一种印制电路电镀填孔面铜厚度控制方法，属于印制电路板技术领域。包括以下步骤：采用电镀或化学镀方法在基础板材上沉积导电缓冲层；形成通孔；在钝化液中浸泡，以在导电缓冲层上形成钝化层；在钝化层上闪镀一层铜层；采用化学沉铜工艺在通孔的孔壁上沉积铜层；进行通孔填铜电镀；对钝化层上的铜层进行蚀刻，直至蚀刻到导电缓冲层时停止；在导电缓冲层蚀刻液中浸泡，以去除导电缓冲层；去除蚀刻后残留的通孔孔口处的铜柱，得到光滑平整的铜层。本发明采用减铜工艺得到了平整且孔口无凹陷的面铜，工艺简单，可靠性高，可实现大规模产业化，为5G时代下更高频率要求的电路板制作提供了一种有效的方法。
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公开(公告)号：CN113122887A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110405374.1
申请日：2021-04-15
申请人： 电子科技大学 , 珠海方正科技高密电子有限公司
摘要： 本发明涉及一种用于芯片互连的电镀钴镀液，属于电子制造技术领域。本发明的一种用于芯片互连的电镀钴镀液中各组分及电镀条件如下：主盐(以钴含量计)5‑20g/L、稳定剂1‑50g/L、缓冲剂10‑30g/L、晶粒细化剂1‑500mg/L、表面活性剂0.1‑1g/L、整平剂0.1‑1g/L、pH 3‑6、电流密度0.1‑3A/dm2、施镀温度50‑70℃。利用本发明公开的镀液所沉积的钴金属可以替代铜金属成为10nm以下芯片制程的互连材料，对微纳沟槽和微孔有良好的填充能力，有利于降低后段制程的寄生效应，提高芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN113106506A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110402998.8
申请日：2021-04-15
申请人： 电子科技大学 , 珠海方正科技高密电子有限公司
摘要： 本发明涉及一种用于电镀钴的镀液及电镀方法，属于电子元器件制造领域。本发明的一种用于电镀钴的镀液中各组分及浓度如下：Co2+：0.05‑1mol/L，支持电解质：20‑100g/L，辅助配位剂：1‑48.6g/L，缓冲剂：20‑45g/L，稳定剂：0.2‑1g/L，辅助光亮剂：0.001‑0.01g/L，分散剂：0.05‑2g/L，整平剂：0.2‑1.6g/L。在进行大马士革电镀、微孔填充等精密电子互连线路的制造时，采用本发明的一种用于电镀钴的镀液可实现无孔隙钴填充，解决了精密电子互连线路中使用铜互连时无法避免的电迁移、互扩散等问题，本发明将有助于提升导电性、降低功耗并大幅减小芯片体积，使芯片效能更优越。
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