发明授权
- 专利标题： 晶体管及其制备方法
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申请号： CN201911392800.1申请日： 2019-12-30
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公开(公告)号： CN113130657B公开(公告)日： 2023-06-30
- 发明人: 王欣鹤 , 张志刚 , 唐建石 , 高滨 , 吴华强 , 钱鹤
- 申请人： 清华大学
- 申请人地址： 北京市海淀区清华大学
- 专利权人： 清华大学
- 当前专利权人： 清华大学
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华大学
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 彭久云; 吴天
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L29/49 ; H01L21/336
摘要：
本发明提供一种晶体管及其制备方法。该晶体管包括：有源层、介质层、偶极子种子层和栅极。介质层设置在该有源层的表面上；偶极子种子层设置在该介质层的远离该有源层的表面上；栅极设置在该偶极子种子层的远离该介质层的表面上。根据本发明所提供的无结型场效应晶体管具备减少泄漏电流，降低静态功耗，提高器件性能的稳定性的技术效果。
公开/授权文献
- CN113130657A 晶体管及其制备方法 公开/授权日：2021-07-16
IPC分类:
