本发明提供了一种具有ITO电极的垂直型锗硅光电探测器及其制备方法，锗硅光电探测器自下而上依次包括高阻Si衬底层、P型掺杂Si层、P型掺杂Ge层、本征Ge层、n型Ge层、n型Si层，对锗硅光电探测器隔断，隔断后的P型掺杂Si层作为下台面，n型Si层作为上台面，上台面和下台面设置Ag/ITO接触电极，上台面、下台面沉积上包层，设置与外电路连接的测试电极。本发明用ITO电极降低光电探测器传统金属电极的红外吸收。通过引入ITO电极来提升器件的响应度，降低器件的暗电流。