-
公开(公告)号：CN114594548A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210295252.6
申请日：2022-03-24
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明提供了一种氮化硅波导辅助悬臂梁端面耦合器，包括硅衬底、氮化硅波导结构、硅波导结构、连接梁结构以及悬臂梁结构；悬臂梁结构连接设置在连接梁结构上，连接梁结构连接设置在硅衬底上；硅衬底设置有衬底槽，悬壁梁结构悬于衬底槽的上方；氮化硅波导结构和硅波导结构设置在悬壁梁结构内，氮化硅波导结构位于硅波导结构的上方；氮化硅波导结构的一端设置在耦合端面处，硅波导结构的一端与耦合端面间隔设置；氮化硅波导结构为亚波长光栅氮化硅波导结构，硅波导结构为亚波长光栅倒锥硅波导结构。本发明提高了端面耦合器的耦合效率，降低了耦合器的偏振敏感性。
-
公开(公告)号：CN113106405A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110290390.0
申请日：2021-03-18
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明提供了一种降低ITO薄膜红外吸收率的方法，包括如下步骤：基片清洗步骤：透明的优质浮法玻璃作为基底，使用丙酮在超声的环境下进行清洗；ITO薄膜制备步骤：沉积ITO薄膜，设定靶材转速、溅射功率，经过设定时间得到ITO薄膜；退火处理步骤：使用快速热处理炉对制备好的ITO薄膜进行快速热退火处理，退火后得到最终的ITO薄膜。本发明实现了低红外吸收、高透射率的ITO薄膜的制备，并且薄膜的电阻率较低。且本发明的后续的处理工艺简易、稳定。
-
公开(公告)号：CN115343788A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210994615.5
申请日：2022-08-18
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明提供了一种基于循环刻蚀工艺的石英微透镜制备方法及石英微透镜，包括：光刻步骤：在石英表面上制备光刻胶柱体；热熔步骤：对带有光刻胶柱体的石英表面进行热熔处理，将光刻胶柱体转变为光刻胶透镜体；刻蚀步骤：对石英表面的光刻胶透镜体进行循环刻蚀处理，直至光刻胶完全消失，从而获得石英微透镜阵列。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
-
公开(公告)号：CN111965761B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202010831570.0
申请日：2020-08-18
申请人： 上海交通大学
摘要： 一种基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器及其制造方法，该光栅耦合器包括：基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器，包括：绝缘体上铌酸锂光子芯片以及设置于其上方的光纤，该绝缘体上铌酸锂光子芯片由上而下依次包括：汇聚型光栅耦合机构、二氧化硅埋层和硅衬底。本装置耦合效率较高且具有较大的工作波长带宽，便于大规模集成和用于对铌酸锂光子集成芯片上的器件进行性能测试。
-
公开(公告)号：CN113093486B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110407727.1
申请日：2021-04-15
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： G03F9/00 , H01L23/544 , H01L21/68
摘要： 本发明提供了一种用于电子束光刻套刻的通用对准标记及其制造方法，包括衬底层、绝缘层和芯层；所述绝缘层位于所述衬底层上，所述芯层位于所述绝缘层上；所述对准标记为10‑20微米的正方形阵列，周期性分布在基片上；所述对准标记的结构贯穿芯层和绝缘层，截止在衬底层。本发明一次性可加工的基片数量增加，提高了加工效率并降低了加工成本。
-
公开(公告)号：CN113788452A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111014187.7
申请日：2021-08-31
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明公开了一种精细微纳米玻璃结构的加工方法，包括如下步骤：准备玻璃基片，并进行清洗吹干；当掩膜材料为非光刻胶材料，将掩模薄膜沉积到玻璃基片上，再涂覆光刻胶；当掩膜材料为光刻胶材料，在玻璃基片上涂覆光刻胶；采用光刻的方式，将待加工的结构转移至基片表面的光刻胶上；当掩膜材料为非光刻胶材料，先对掩膜材料进行刻蚀，再对玻璃基片进行刻蚀；当掩膜材料为光刻胶材料，仅对玻璃基片进行刻蚀即可；利用干法刻蚀或湿法腐蚀的方法去除光刻胶及掩膜材料，形成最终的玻璃器件结构。采用本发明的制备工艺，可使得刻蚀玻璃速率达到了710nm/min，粗糙度降低到40nm以下，侧壁垂直度接近90°。
-
公开(公告)号：CN114594548B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210295252.6
申请日：2022-03-24
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明提供了一种氮化硅波导辅助悬臂梁端面耦合器，包括硅衬底、氮化硅波导结构、硅波导结构、连接梁结构以及悬臂梁结构；悬臂梁结构连接设置在连接梁结构上，连接梁结构连接设置在硅衬底上；硅衬底设置有衬底槽，悬壁梁结构悬于衬底槽的上方；氮化硅波导结构和硅波导结构设置在悬壁梁结构内，氮化硅波导结构位于硅波导结构的上方；氮化硅波导结构的一端设置在耦合端面处，硅波导结构的一端与耦合端面间隔设置；氮化硅波导结构为亚波长光栅氮化硅波导结构，硅波导结构为亚波长光栅倒锥硅波导结构。本发明提高了端面耦合器的耦合效率，降低了耦合器的偏振敏感性。
-
公开(公告)号：CN113093486A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110407727.1
申请日：2021-04-15
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： G03F9/00 , H01L23/544 , H01L21/68
摘要： 本发明提供了一种用于电子束光刻套刻的通用对准标记及其制造方法，包括衬底层、绝缘层和芯层；所述绝缘层位于所述衬底层上，所述芯层位于所述绝缘层上；所述对准标记为10‑20微米的正方形阵列，周期性分布在基片上；所述对准标记的结构贯穿芯层和绝缘层，截止在衬底层。本发明一次性可加工的基片数量增加，提高了加工效率并降低了加工成本。
-
公开(公告)号：CN115343788B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202210994615.5
申请日：2022-08-18
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明提供了一种基于循环刻蚀工艺的石英微透镜制备方法及石英微透镜，包括：光刻步骤：在石英表面上制备光刻胶柱体；热熔步骤：对带有光刻胶柱体的石英表面进行热熔处理，将光刻胶柱体转变为光刻胶透镜体；刻蚀步骤：对石英表面的光刻胶透镜体进行循环刻蚀处理，直至光刻胶完全消失，从而获得石英微透镜阵列。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
-
公开(公告)号：CN113130674A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110291296.7
申请日：2021-03-18
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/105 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种具有ITO电极的垂直型锗硅光电探测器及其制备方法，锗硅光电探测器自下而上依次包括高阻Si衬底层、P型掺杂Si层、P型掺杂Ge层、本征Ge层、n型Ge层、n型Si层，对锗硅光电探测器隔断，隔断后的P型掺杂Si层作为下台面，n型Si层作为上台面，上台面和下台面设置Ag/ITO接触电极，上台面、下台面沉积上包层，设置与外电路连接的测试电极。本发明用ITO电极降低光电探测器传统金属电极的红外吸收。通过引入ITO电极来提升器件的响应度，降低器件的暗电流。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
12 条记录 (耗时 0.025 秒)
