发明授权
- 专利标题: 一种量子点发光二极管及其制备方法
-
申请号: CN201911394761.9申请日: 2019-12-30
-
公开(公告)号: CN113130773B公开(公告)日: 2022-06-24
- 发明人: 陈开敏
- 申请人: TCL科技集团股份有限公司
- 申请人地址: 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
- 专利权人: TCL科技集团股份有限公司
- 当前专利权人: TCL科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
- 代理机构: 深圳市君胜知识产权代理事务所
- 代理商 王永文
- 主分类号: H01L51/50
- IPC分类号: H01L51/50 ; H01L51/56
摘要:
本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法。所述量子点发光二极管包括:阳极、阴极、设置于所述阳极和阴极之间的量子点发光层,与所述量子点发光层一侧或两侧贴合设置的含有含氟甲基丙烯酸甲酯的有机层。本发明中,通过增设有机层,由于有机层的折射率较低,设置在量子点发光层一侧或两侧均可有效降低量子点发光层的折射率,从而减少该量子点发光层在器件中的光损失,达到增亮量子点发光二极管的目的。进一步地,所述有机层靠近所述阴极一侧设置时,由于有机层绝缘,可增加电子注入势垒,从而有利于改善电子空穴在器件内的注入平衡,提升载流子的复合效率,提高器件的发光效率。
公开/授权文献
- CN113130773A 一种量子点发光二极管及其制备方法 公开/授权日:2021-07-16
IPC分类: