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公开(公告)号:CN116940146A
公开(公告)日:2023-10-24
申请号:CN202210365346.6
申请日:2022-04-07
申请人: TCL科技集团股份有限公司
发明人: 陈开敏
IPC分类号: H10K50/15 , H10K50/115 , H10K71/00
摘要: 本申请公开一种发光器件及其制备方法、显示装置。所述发光器件包括层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层和阴级;所述发光层的材料包括发光材料,所述空穴传输层的材料包括第一空穴传输材料;所述发光材料的导带能级与所述第一空穴传输材料的价带能级的差值为第一差值;所述第一空穴传输材料的价带能级与所述发光材料的价带能级的差值为第二差值,其中,所述第一差值大于两倍所述第二差值。从而通过在传统发光器件上限制空穴传输层与发光层的材料的能级搭配,可实现发光器件在保持良好效率及寿命的前提下,使发光器件在常规使用亮度下的效率得到大幅提升。
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公开(公告)号:CN118265321A
公开(公告)日:2024-06-28
申请号:CN202211701375.1
申请日:2022-12-28
申请人: TCL科技集团股份有限公司
摘要: 本发明提供了光电器件及其制备方法、显示装置,涉及光电技术领域。光电器件包括:阴极;阳极;光功能层,设置于阴极和阳极之间;以及至少两层电子传输层,设置于阴极和光功能层之间;每层电子传输层的材料分别连接有碳链配体,碳链配体的碳链长度为1~12,各层电子传输层的材料连接的碳链配体的平均碳链长度在第一方向上递减;其中,第一方向为光功能层至阴极的方向。本发明提供的光电器件各结构层相互之间的不良影响较小,器件性能较高。
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公开(公告)号:CN116367582A
公开(公告)日:2023-06-30
申请号:CN202111614813.6
申请日:2021-12-27
申请人: TCL科技集团股份有限公司
发明人: 陈开敏
IPC分类号: H10K50/16 , H10K50/18 , H10K50/115 , H10K71/00 , H10K101/40
摘要: 本申请公开了一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管包括:依次层叠设置的阳极、量子点发光层、空穴阻挡层、电子传输层以及阴极;其中,电子传输层的材料为量子点;空穴阻挡层的导带底能级与电子传输层的导带底能级之间的差值的绝对值小于等于1.5eV。该量子点发光二极管的载流子注入平衡。
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公开(公告)号:CN115835669A
公开(公告)日:2023-03-21
申请号:CN202111086665.5
申请日:2021-09-16
申请人: TCL科技集团股份有限公司
发明人: 陈开敏
IPC分类号: H10K50/115 , H10K50/155
摘要: 本发明公开了一种量子点发光器件及显示装置。量子点发光器件包括阳极、阴极及设在所述阳极和所述阴极之间的发光层,所述发光层包括至少两层量子点发光层,每层所述量子点发光层均包括核壳结构量子点,所述核壳结构量子点包括核和至少一层包覆在所述核表面的壳层;其中,各层所述量子点发光层的核壳结构量子点的最外层壳层的厚度由所述阳极至所述阴极的方向依次增厚。本发明能够在保持器件良好寿命的前提下,使器件一般使用亮度下的效率得到大幅提升。
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公开(公告)号:CN112760091B
公开(公告)日:2022-10-11
申请号:CN201911061370.5
申请日:2019-11-01
申请人: TCL科技集团股份有限公司
摘要: 本发明属于量子点工艺技术领域,具体涉及一种量子点的提纯方法。该提纯方法包括如下步骤:提供初始油溶性量子点溶液;将第一溶剂和第二溶剂加入所述初始油溶性量子点溶液中混合,进行离心处理,去上清后得到沉淀物;将所述沉淀物溶解在第三溶剂中,得到量子点溶液;其中,所述第一溶剂用于沉淀油溶性量子点,所述第三溶剂用于分散油溶性量子点,所述第一溶剂的极性>第二溶剂的极性>第三溶剂的极性。该提纯方法最终得到的量子点产物纯度高,对量子点表面的配体影响小,可保持甚至提升最终量子点的物化性能,而且该方法简化操作,定制程度高,适合量产。
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公开(公告)号:CN118255382A
公开(公告)日:2024-06-28
申请号:CN202211687323.3
申请日:2022-12-27
申请人: TCL科技集团股份有限公司
摘要: 本申请公开一种氧化锌镁的制备方法及包含氧化锌镁的发光器件与电子设备,所述制备方法通过在不同的反应阶段调节体系中第一碱和第二碱的比例,以控制不同反应阶段下镁元素的掺入率,可实现镁元素在制得的氧化锌镁中的分布情况可调控,便于根据应用场景的变化来适应性地调整氧化锌镁的能级结构,其中,第一碱选自氢氧化锂,第二碱选自氢氧化钠、氢氧化钾以及季铵碱中的一种或多种;所述发光器件的电子功能层包含所述氧化锌镁的制备方法制得的氧化锌镁,有利于提高发光器件的光电性能和使用寿命;将所述发光器件应用于电子设备中,有利于提高电子设备的显示效果和使用寿命。
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公开(公告)号:CN115884615A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202111129846.1
申请日:2021-09-26
申请人: TCL科技集团股份有限公司
发明人: 陈开敏
IPC分类号: H10K50/115 , H10K50/15
摘要: 本申请公开了一种量子点发光器件和显示面板。所述量子点发光器件包括依次层叠设置的第一电极层、量子点发光层和第二电极层;所述量子点发光层的量子点为核壳结构量子点,包括核层和壳层;所述量子点发光层包括第一量子点层和第二量子点层,所述第二量子点层设置于所述第一量子点层背离所述第一电极层的一侧,且所述第二量子点层的量子点的壳层能级宽度大于所述第一量子点层的量子点的壳层能级宽度。本申请的量子点发光器件通过量子点发光层的设置,有效改善了电子、空穴的注入平衡,在保持量子点发光器件长寿命的同时提升了器件在常规使用亮度下的效率。
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公开(公告)号:CN118265342A
公开(公告)日:2024-06-28
申请号:CN202211701534.8
申请日:2022-12-28
申请人: TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号: H10K50/16 , H10K50/115
摘要: 本申请的实施例公开了一种发光器件和显示装置。本申请所述的发光器件中的电子传输层包括N个层叠的子电子传输层。所述子电子传输层的材料包括复合材料,所述复合材料为核壳结构。所述核的材料包括掺镁无机颗粒,所述壳的材料包括金属氧化物。如此,可以使电子传输层在沿着阴极指向发光层的方向上形成导带能级梯度,既可以减少发光层中量子点的淬灭,使发光层具有优异的发光性能,又有利于电子注入,从而提升发光器件的发光效率。
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公开(公告)号:CN118255384A
公开(公告)日:2024-06-28
申请号:CN202211687816.7
申请日:2022-12-27
申请人: TCL科技集团股份有限公司
发明人: 陈开敏
IPC分类号: C01G9/02 , H10K50/165 , H10K50/17 , C01B13/14
摘要: 本申请公开一种掺杂金属氧化物的制备方法、包含掺杂金属氧化物的发光器件与电子设备,所述掺杂金属氧化物的制备方法利用第二金属元素的氢氧化物与第一金属元素的氢氧化物在水中的溶度积的差异,以调控不同阶段下第二金属元素掺入至晶体结构的原子数量,使得第二金属元素在制得的掺杂金属氧化物中呈现出目标差异化分布情况,以达到目标能级结构,便于根据应用场景的变化来适应性地调整掺杂金属氧化物的能级结构,所述发光器件中电子功能层的材料包含采用所述掺杂金属氧化物的制备方法制得的掺杂金属氧化物,有利于提高发光器件的光电性能和使用寿命。
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公开(公告)号:CN115707270A
公开(公告)日:2023-02-17
申请号:CN202110902450.X
申请日:2021-08-06
申请人: TCL科技集团股份有限公司
发明人: 陈开敏
摘要: 本申请提供一种发光二极管及其制备方法,所述发光二极管包括:阴极层;阳极层;发光层,位于所述阴极层和所述阳极层之间;及空穴功能层,位于所述阳极层与所述发光层之间;所述空穴功能层包括质子传导材料,所述质子传导材料包括具有质子传导功能的基团。本申请提供的发光二极管及其制备方法能够促进空穴传输且平衡空穴和电子的注入势垒。
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