- 专利标题: 一种针对不同倾角入射的单粒子瞬态电流源建模方法
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申请号: CN202110460172.7申请日: 2021-04-27
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公开(公告)号: CN113158602B公开(公告)日: 2023-01-17
- 发明人: 王坦 , 丁李利 , 罗尹虹 , 张凤祁 , 赵雯 , 潘霄宇
- 申请人: 西北核技术研究所
- 申请人地址: 陕西省西安市灞桥区平峪路28号
- 专利权人: 西北核技术研究所
- 当前专利权人: 西北核技术研究所
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市灞桥区平峪路28号
- 代理机构: 西安智邦专利商标代理有限公司
- 代理商 郑丽红
- 主分类号: G06F30/3308
- IPC分类号: G06F30/3308
摘要:
本发明提供一种针对不同倾角入射的单粒子瞬态电流源建模方法,解决传统电流源建模方法在推广到倾角入射情形时参数提取复杂、注入电荷总量估计不准确的问题。该方法综合考虑了入射位置、入射角度和有源区形状大小,能够更加合理准确的研究电路的单粒子效应并且预测其抗辐照能力。其包括:步骤一、获取待研究器件的版图;步骤二、确定离子在材料中的线性能量传输值,设定需要评估的离子在版图上的入射位置和入射方位角;步骤三、提取版图中的敏感节点轮廓,记录其在版图上的坐标;步骤四、获取不同倾角入射情况下的单粒子瞬态电流;步骤五、调用计算得到的单粒子瞬态电流,执行电路级仿真计算得到敏感节点的电压波形,并分析辐射效应结果。
公开/授权文献
- CN113158602A 一种针对不同倾角入射的单粒子瞬态电流源建模方法 公开/授权日:2021-07-23