发明授权
- 专利标题： 光子半导体装置的制造方法
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申请号： CN202110481460.0申请日： 2021-04-30
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公开(公告)号： CN113204082B公开(公告)日： 2022-12-23
- 发明人: 陈俊杰 , 孟怀宇 , 沈亦晨
- 申请人： 上海曦智科技有限公司
- 申请人地址： 上海市杨浦区长阳路1687号东1225幢(A楼)三层A309
- 专利权人： 上海曦智科技有限公司
- 当前专利权人： 上海曦智科技有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市杨浦区长阳路1687号东1225幢(A楼)三层A309
- 代理机构： 北京三环同创知识产权代理有限公司
- 代理商 赵勇; 邵毓琴
- 主分类号： G02B6/42
- IPC分类号： G02B6/42 ; G06N3/067 ; G06E3/00
摘要：
本发明涉及光子集成电路领域，其提供了一种光子半导体装置的制造方法，包括：准备基板；在所述基板上通过无源耦合的对位方式安装一部分光学器件；在所述基板上通过有源耦合的对位方式安装剩余部分的光学器件的至少一部分光学器件。本发明的实施方式通过无源耦合与有源耦合结合的方式安装光学器件，有效地提高了光子半导体装置的封装效率。
公开/授权文献
- CN113204082A 光子半导体装置的制造方法 公开/授权日：2021-08-03