片上光互连结构及其制作方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117492142A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202210878889.8

    申请日:2022-07-25

    IPC分类号: G02B6/26 G02B6/42 G02B6/43

    摘要: 本发明提供了一种片上光互连结构及其制作方法,旨在通过在具有多个第一光子集成电路芯片的所述半导体晶片上设置有覆盖在相邻两个第一光子集成电路芯片的部分所述第一表面的第二光子集成电路芯片,利用第二光子集成电路芯片的多个第二光波导,将相邻的两个所述第一光子集成电路芯片之间进行光互连,从而实现晶圆级无间断的片上光互连,以提高片上光网络的性能和应用价值。突破了单颗第一光子集成电路芯片尺寸的上限,并且可以根据需要选择在同一光通信中的第一光子集成电路芯片的数量,设计灵活。

    封装结构及其制造方法、光子集成电路芯片

    公开(公告)号:CN117008246A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202210466418.6

    申请日:2022-04-29

    IPC分类号: G02B6/12

    摘要: 本发明涉及半导体领域,提供封装结构及其制造方法、光子集成电路芯片。其中,封装结构的制造方法包括:提供光子集成结构,所述光子集成结构包括:光栅耦合器;提供第一衬底;在第一衬底上形成反射层;将所述光子集成结构与所述第一衬底键合,使得所述反射层位于所述光栅耦合器与所述第一衬底之间,并且所述反射层与所述光栅耦合器对应。本发明可以优化反射层的制造以及封装结构、相关芯片的制造及结构,避免对光子集成结构及其它结构产生不良影,降低了制造成本。

    光子集成电路芯片及其制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116990907A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202210433905.2

    申请日:2022-04-24

    IPC分类号: G02B6/13 G02B6/122 G02B6/30

    摘要: 本发明涉及半导体领域,其提供了一种光子集成电路芯片及其制造方法,所述方法包括:提供光子集成结构;提供第一衬底,所述第一衬底包括凹槽;将所述光子集成结构与所述第一衬底键合;去除所述光子集成结构的一部分,以形成光耦合端,所光耦合端使得光能够从光子集成电路的侧面耦合进入光子集成电路芯片;其中,所述光子集成结构的所述光耦合端所在的侧面与所述第一衬底的所述凹槽对应。其能够优化光子集成电路芯片的制造工艺以及光耦合方式。

    数据处理方法及系统
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116795171A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202210252872.1

    申请日:2022-03-15

    IPC分类号: G06E3/00 G06F16/906

    摘要: 本发明涉及电光混合计算机系统领域,其提供了一种数据处理方法及系统。在一种实施方式中,所述数据处理方法包括以下处理:将输入数据转换为光信号;通过多个光子乘法器,使所述光信号承载的输入数据与权重矩阵进行矩阵向量乘法运算,所述权重矩阵确定了数据处理解决的问题;将经过所述乘法运算后的光信号转换为输出数据。本发明提供的技术方案可以用于解决数据聚类、标记、分类和语义分割问题的系统和算法,其中,最耗时和最耗能量的矩阵向量乘法,使用光子乘法器执行,可以减少计算时间和能量消耗。从而,提高系统的处理速度,降低能耗。

    封装结构及其封装方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113514923B

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202110744573.5

    申请日:2021-07-01

    IPC分类号: G02B6/42

    摘要: 本发明提供了一种封装结构及其封装方法,所述封装结构包括:第一基板,其具有承载面;电子集成电路,其设置于所述承载面上;光子集成电路,其具有第一表面和第二表面,所述光子集成电路的第一表面朝向所述第一基板,所述光子集成电路设置于所述电子集成电路远离所述第一基板的一侧;其中,所述电子集成电路上设置有通孔;所述通孔内设置有连接体;并且所述连接体用于将所述光子集成电路与所述第一基板电性连接。本发明提供了一种封装结构及其封装方法,其能降低电压压降、且为光学元件和电学元件的布置及其电性连接布置方式提供更丰富的封装方式,进而使得封装结构更加灵活、体积更小。

    光子半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN113204082B

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202110481460.0

    申请日:2021-04-30

    IPC分类号: G02B6/42 G06N3/067 G06E3/00

    摘要: 本发明涉及光子集成电路领域,其提供了一种光子半导体装置的制造方法,包括:准备基板;在所述基板上通过无源耦合的对位方式安装一部分光学器件;在所述基板上通过有源耦合的对位方式安装剩余部分的光学器件的至少一部分光学器件。本发明的实施方式通过无源耦合与有源耦合结合的方式安装光学器件,有效地提高了光子半导体装置的封装效率。

    光学调制器和光学集成系统

    公开(公告)号:CN113176676B

    公开(公告)日:2022-11-15

    申请号:CN202110409940.6

    申请日:2021-04-16

    IPC分类号: G02F1/015 G02F1/01

    摘要: 本发明涉及光子集成电路领域,其提供了一种光学调制器和光学集成系统,能够抑制因载流子扩散导致的相位偏差。所述光学调制器包括至少一段移相器;所述移相器包括:传输光信号的波导通道、以及位于波导通道相对两侧的P型掺杂区和N型掺杂区;其中,在所述波导通道中,在所述P型掺杂区和N型掺杂区之间为未掺杂的本征区;其中,在所述本征区的两端中的至少一端或靠近所述至少一端设置有阻挡载流子沿波导传播方向从所述本征区扩散出去的阻挡结构,由此,能够抑制因载流子扩散导致的相位偏差,并且能够抑制相邻移相器之间的电串扰,以及避免了该电串扰导致的调制信号失真。进而,提高了光子集成系统的可靠性和精度。

    光子半导体装置的制造方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115061246A

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202210674274.3

    申请日:2021-04-30

    IPC分类号: G02B6/42 G06N3/067 G06E3/00

    摘要: 本发明涉及光子集成电路领域,其提供了一种光子半导体装置的制造方法,包括:准备基板;在所述基板上通过无源耦合的对位方式安装一部分光学器件;在所述基板上通过有源耦合的对位方式安装剩余部分的光学器件的至少一部分光学器件。本发明的实施方式通过无源耦合与有源耦合结合的方式安装光学器件,有效地提高了光子半导体装置的封装效率。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN113764292A

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202111312674.1

    申请日:2021-11-08

    IPC分类号: H01L21/50 H01L21/98 H01L25/18

    摘要: 本发明提供了一种半导体装置的制作方法及半导体装置,其中,所述方法包括:将第一半导体芯片焊接至基板的第一表面上;将平衡片安装在与所述第一表面相对的所述基板的第二表面上,以消减所述焊接导致的形变;将第二半导体芯片焊接至第一半导体芯片背离所述基板的一侧上。本发明所公开的方法和装置有利于提高第二半导体芯片焊接的可靠性。

    芯片封装结构以及光计算设备

    公开(公告)号:CN113376767A

    公开(公告)日:2021-09-10

    申请号:CN202110593659.2

    申请日:2021-05-28

    IPC分类号: G02B6/42

    摘要: 本申请实施例提供一种芯片封装结构以及光计算设备。其中,结构包括:封装基板、光子芯片以及用于为所述光子芯片提供光信号的光源组件;所述光源组件和所述光子芯片分别设置于所述封装基板之上;所述光源组件与所述光子芯片之间设置有用于抵抗所述封装基板弯曲形变的抵抗部。本申请实施例中,通过抵抗部可降低封装基板的弯曲形变,从而可减少从光源组件到光子芯片的光路的偏移量,以保证光耦合效率。