Invention Publication
- Patent Title: 半导体装置以及半导体装置的制造方法
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Application No.: CN202110154347.1Application Date: 2021-02-04
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Publication No.: CN113224024APublication Date: 2021-08-06
- Inventor: 进藤正典
- Applicant: 拉碧斯半导体株式会社
- Applicant Address: 日本神奈川县
- Assignee: 拉碧斯半导体株式会社
- Current Assignee: 拉碧斯半导体株式会社
- Current Assignee Address: 日本神奈川县
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 舒艳君; 王秀辉
- Priority: 2020-017210 20200204 JP
- Main IPC: H01L23/488
- IPC: H01L23/488 ; H01L21/60
Abstract:
本发明提供半导体装置以及半导体装置的制造方法，当在布线上形成包含由铜构成的端子、和由银锡构成的焊料凸块的电极的情况下，能够兼得端子与焊料凸块之间的连接可靠性和导电性。半导体装置包含端子(19)，端子(19)与电路元件电连接，并且端子(19)具备隔着镍层(20)形成由银锡构成的焊料凸块(12)的上表面(S)，并且端子(19)使用铜形成，在半导体装置中，镍层(20)形成于上表面(S)上的部分区域。
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IPC分类:
