本发明提供一种超结MOS器件，从下至上依次包括漏极金属层、重掺杂第二类导电类型半导体漏区、中等掺杂第二类导电类型半导体缓冲层、轻掺杂第二类导电类型半导体柱区、中等掺杂第二类导电类型半导体JFET区、源极金属层；本发明在超结VDMOS器件的基础上，将部分漏极金属层挖槽填充穿过中等掺杂第二类导电类型半导体缓冲层与重掺杂第一类导电类型岛区接触，重掺杂第一类导电类型岛区之间为轻掺杂第二类导电类型半导体间隙区。反向恢复电流下降阶段由于有空穴的注入，中等掺杂第二类导电类型半导体缓冲层空穴下降速度减慢，反向恢复电流得以平滑衰减，从而降低反向恢复的硬度。